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参数资料
| 型号： | IXFH12N120 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1200V 12A TO-247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1200V（1.2kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.4 欧姆 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 95nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3400pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 500W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
High Voltage
HiPerFET Power
MOSFET
IXFH 12N120
V DSS
I D (cont)
R DS(on)
t rr
= 1200 V
= 12 A
= 1.4 ?
≤ 300 ns
Preliminary Data Sheet
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
TO-247 AD
V DSS
V DGR
T J
T J
= 25 ° C to 150 ° C
= 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M ?
1200
1200
V
V
V GS
V GSM
Continuous
Transient
± 30
± 40
V
V
D (TAB)
I D25
I DM
T C
T C
= 25 ° C
= 25 ° C, pulse width limited by T JM
12
48
A
A
I AR
E AR
E AS
T C
T C
= 25 ° C
= 25 ° C
12
30
1.0
A
mJ
J
G = Gate,
S = Source,
D = Drain,
TAB = Drain
dv/dt
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS ,
10
V/ns
T J ≤ 150 ° C, R G = 2 ?
P D
T J
T JM
T stg
T C
= 25 ° C
500
-55 ... +150
150
-55 ... +150
W
° C
° C
° C
Features
International standard package
JEDEC TO-247 AD
Low R DS (on) HDMOS TM process
Rugged polysilicon gate cell structure
M d
Weight
Mounting torque
1.13/10 Nm/lb.in.
6
g
Fast switching times
Maximum lead temperature for soldering
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
300
° C
Applications
Switch-mode and resonant-mode
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
power supplies
Motor controls
Uninterruptible Power Supplies (UPS)
V DSS
V GS = 0 V, I D = 1 mA
1200
V
DC choppers
V GS(th)
V DS = V GS , I D = 4 mA
3
5
V
I GSS
V GS = ± 30 V DC , V DS = 0
± 100
nA
Advantages
I DSS
V DS = V DSS
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
50
3
μ A
mA
Easy to mount with 1 screw
(isolated mounting screw hole)
Space savings
R DS(on)
V GS = 10 V, I D = 0.5 ? I D25
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
1.4
?
High power density
? 2005 IXYS All rights reserved
DS99334(02/05)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFH12N80P | MOSFET N-CH 800V 12A TO-247 |
| IXFH12N90P | MOSFET N-CH 900V 12A TO-247 |
| IXFH12N90 | MOSFET N-CH 900V 12A TO-247AD |
| IXFH13N100 | MOSFET N-CH 1000V 12.5A TO-247 |
| IXFH13N50 | MOSFET N-CH 500V 13A TO-247AD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFH12N120P | 功能描述:MOSFET 12 Amps 1200V 1.15 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH12N50 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HIPERFET Power MOSFTETs |
| IXFH12N50F | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH12N80P | 功能描述:MOSFET DIODE Id12 BVdass800 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH12N90 | 功能描述:MOSFET 900V 12A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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