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参数资料
| 型号： | IXFH12N90 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 900V 12A TO-247AD |
| 产品目录绘图： | TO-247AD 3-Leads |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 900V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 900 毫欧 @ 6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 155nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4200pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 300W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247AD |
| 包装： | 管件 |
HiPerFET TM
V DSS
I D25
R DS(on)
Power MOSFETs
N-Channel Enhancement Mode
High dv/dt, Low t rr , HDMOS TM Family
IXFH/IXFM 10 N90
IXFH/IXFM 12 N90
IXFH/IXFT 13 N90
900 V 10 A
900 V 12 A
900 V 13 A
t rr ≤ 250 ns
1.1 ?
0.9 ?
0.8 ?
TO-247 AD (IXFH)
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V DSS
V DGR
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M ?
900
900
V
V
V GS
V GSM
Continuous
Transient
± 20
± 30
V
V
(TAB)
I D25
T C = 25 ° C
10N90
12N90
10
12
A
A
TO-204 AA (IXFM)
I DM
I AR
T C = 25 ° C,
pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
13N90
10N90
12N90
13N90
10N90
12N90
13
40
48
52
10
12
A
A
A
A
A
A
TO-268 (IXFT)
D
G
13N90
13
A
E AR
T C = 25 ° C
30
mJ
dv/dt
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS ,
T J ≤ 150 ° C, R G = 2 ?
5
V/ns
G
E
C (TAB)
P D
T J
T JM
T stg
T L
M d
Weight
T C = 25 ° C
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
Mounting torque
300 W
-55 ... +150 ° C
150 ° C
-55 ... +150 ° C
300 ° C
1.13/10 Nm/lb.in.
TO-204 = 18 g, TO-247 = 6 g
G = Gate, D = Drain,
S = Source, TAB = Drain
Features
International standard packages
Low R DS (on) HDMOS TM process
Rugged polysilicon gate cell structure
Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
Low package inductance
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
- easy to drive and to protect
Fast intrinsic Rectifier
Applications
DC-DC converters
V DSS
V GS(th)
I GSS
I DSS
V GS = 0 V, I D = 3 mA
V DS = V GS , I D = 4 mA
V GS = ± 20 V DC , V DS = 0
V DS = V DSS
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
900
2.0
4.5
± 100
25
1
V
V
nA
μ A
mA
Synchronous rectification
Battery chargers
Switched-mode and resonant-mode
power supplies
DC choppers
AC motor control
Temperature and lighting controls
Low voltage relays
R DS(on)
V GS = 10 V, I D = 0.5 ? I D25 10N90
12N90
13N90
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
1.1
0.9
0.8
?
?
?
Advantages
Easy to mount with 1 screw (TO-247)
(isolated mounting screw hole)
Space savings
High power density
? 2003 IXYS All rights reserved
DS91530I(01/03)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFH13N100 | MOSFET N-CH 1000V 12.5A TO-247 |
| IXFH13N50 | MOSFET N-CH 500V 13A TO-247AD |
| IXFH14N100Q2 | MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247AD |
| IXFH14N60P | MOSFET N-CH 600V 14A TO-247 |
| IXFH150N17T | MOSFET N-CH 175V 150A TO-247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFH12N90P | 功能描述:MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH12N90Q | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-268 |
| IXFH13N100 | 功能描述:MOSFET 13 Amps 1000V 0.9 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH13N50 | 功能描述:MOSFET 500V 13A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH13N65 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HIPERFET Power MOSFTETs |
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