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参数资料
| 型号： | IXFH12N90 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 900V 12A TO-247AD |
| 产品目录绘图： | TO-247AD 3-Leads |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 900V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 900 毫欧 @ 6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 155nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4200pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 300W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247AD |
| 包装： | 管件 |
IXFH 10N90
IXFM 10N90
IXFH 12N90
IXFM 12N90
IXFH 13N90
IXFT 13N90
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
TO-247 AD (IXFH) Outline
g fs
C iss
C oss
C rss
t d(on)
V DS = 10 V; I D = 0.5 ? I D25 , pulse test
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
6
12
4200
315
90
18
50
S
pF
pF
pF
ns
1
2
3
t r
t d(off)
t f
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I D25
R G = 2 ? (External)
12
51
18
50
100
50
ns
ns
ns
Terminals: 1 - Gate 2 - Drain
3 - Source Tab - Drain
Dim. Millimeter Inches
Min. Max. Min. Max.
A 1
Q g(on)
123 155
nC
A 4.7 5.3
2.2 2.54
.185 .209
.087 .102
A 2
b 1
b 2
Q gs
Q gd
R thJC
R thCK
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I D25
(IXFH/IXFM)
27
49
0.25
45
80
0.42
nC
nC
K/W
K/W
2.2 2.6
b 1.0 1.4
1.65 2.13
2.87 3.12
C .4 .8
D 20.80 21.46
E 15.75 16.26
.059 .098
.040 .055
.065 .084
.113 .123
.016 .031
.819 .845
.610 .640
e 5.20 5.72
L 19.81 20.32
L1 4.50
0.205 0.225
.780 .800
.177
Source-Drain Diode
Symbol Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
? P 3.55 3.65
Q 5.89 6.40
R 4.32 5.49
S 6.15 BSC
.140 .144
0.232 0.252
.170 .216
242 BSC
I S
I SM
V GS = 0 V
Repetitive;
pulse width limited by T JM
10N90
12N90
13N90
10N90
12N90
13N90
10
12
13
40
48
52
A
A
A
A
A
A
TO-204 AA (IXFM) Outline
V SD
I F = I S , V GS = 0 V,
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
1.5
V
t rr
I F = I S
-di/dt = 100 A/ μ s,
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
250 n s
400 n s
Q RM
V R = 100 V
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
1
2
μ C
μ C
Pins
1 - Gate 2 - Source
Case - Drain
I RM
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
10
15
A
A
Dim. Millimeter
Min. Max.
A 6.4 11.4
Inches
Min. Max.
.250 .450
TO-268 (IXFT) Outline
A1 3.42
? b .97 1.09
? D 22.22
e 10.67 11.17
e1 5.21 5.71
.135
.038 .043
.875
.420 .440
.205 .225
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
L
? p
? p1
q
R
R1
s
7.93
3.84 4.19
3.84 4.19
30.15 BSC
13.33
4.77
16.64 17.14
.312
.151 .165
.151 .165
1.187 BSC
.525
.188
.655 .675
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
6,306,728B1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFH13N100 | MOSFET N-CH 1000V 12.5A TO-247 |
| IXFH13N50 | MOSFET N-CH 500V 13A TO-247AD |
| IXFH14N100Q2 | MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247AD |
| IXFH14N60P | MOSFET N-CH 600V 14A TO-247 |
| IXFH150N17T | MOSFET N-CH 175V 150A TO-247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFH12N90P | 功能描述:MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH12N90Q | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-268 |
| IXFH13N100 | 功能描述:MOSFET 13 Amps 1000V 0.9 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH13N50 | 功能描述:MOSFET 500V 13A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH13N65 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HIPERFET Power MOSFTETs |
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