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参数资料
| 型号： | IXFH14N60P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 14A TO-247 |
| 产品目录绘图： | TO-247AD 3-Leads |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | PolarHV™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 14A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 550 毫欧 @ 7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 2.5mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 36nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2500pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 300W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
PolarHV TM HiperFET
Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
Fast Intrinsic Diode
IXFA14N60P
IXFP14N60P
IXFH14N60P
V DSS
I D25
R DS(on)
t rr
TO-263
= 600V
= 14A
≤ 550m Ω
≤ 200ns
G
S
(TAB)
Symbol
V DSS
V DGR
Test Conditions
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C R GS = 1M Ω
Maximum Ratings
600
600
V
V
TO-220
V GSS
V GSM
I D25
I DM
Continuous
Transient
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
± 30
± 40
14
42
V
V
A
A
TO-247
G
D S
(TAB)
I A
E AS
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
14
900
A
mJ
dV/dt
P D
I S ≤ I DM , V DD ≤ V DSS , T J ≤ 150 ° C
T C = 25 ° C
10
300
V/ns
W
G
D
S
(TAB)
T J
T JM
T stg
-55 ... +150
150
-55 ... +150
° C
° C
° C
G = Gate
S = Source
D = Drain
TAB = Drain
T L
T SOLD
1.6mm (0.062 in.) from case for 10s
Plastic body for 10 seconds
300
260
° C
° C
Features
M d
F C
Weight
Mounting Torque
Mounting Force
TO-263
TO-220
TO-247
(TO-220 & TO-247) 1.13 / 10
(TO-263) 10..65 / 2.2..14.6
2.5
3.0
6.0
Nmlb.in.
N/lb.
g
g
g
International standard packages
Avalanche rated
Advantages
Easy to mount
Space savings
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
High power density
Applications:
BV DSS
V GS(th)
V GS = 0V, I D = 250 μ A
V DS = V GS , I D = 2.5mA
600
3.0
5.5
V
V
Switched-mode and resonant-mode
power supplies
I GSS
I DSS
V GS = ± 30V, V DS = 0V
V DS = V DSS
V GS = 0V
T J = 125 ° C
± 100 nA
5 μ A
500 μ A
DC-DC Converters
Laser Drivers
AC and DC motor drives
Robotics and servo controls
R DS(on)
V GS = 10V, I D = 0.5 ? I D25 , Note 1
450
550 m Ω
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
DS99389F(12/08)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFH150N17T | MOSFET N-CH 175V 150A TO-247 |
| IXFH15N100P | MOSFET N-CH 1000V 15A TO-247 |
| IXFH15N80 | MOSFET N-CH 800V 15A TO-247AD |
| IXFH160N15T2 | MOSFET N-CH 150V 160A TO-247 |
| IXFH160N15T | MOSFET N-CH 150V 160A TO-247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFH14N60P3 | 功能描述:MOSFET Polar3 HiPerFETs Power MOSFETs RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH14N80 | 功能描述:MOSFET 14 Amps 800V 0.7 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH14N80P | 功能描述:MOSFET DIODE Id14 BVdass800 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH150 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HIPERFET Power MOSFTETs |
| IXFH150N15P | 功能描述:MOSFET 170 Amps 150V 0.013 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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