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参数资料
型号： IXFH14N60P
厂商： IXYS
文件页数： 5/5页
文件大小： 0K
描述： MOSFET N-CH 600V 14A TO-247
产品目录绘图： TO-247AD 3-Leads
标准包装： 30
系列： PolarHV™ HiPerFET™
FET 型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点： 标准
漏极至源极电压(Vdss)： 600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： 14A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： 550 毫欧 @ 7A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）： 5.5V @ 2.5mA
闸电荷(Qg) @ Vgs： 36nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds： 2500pF @ 25V
功率 - 最大： 300W
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-247-3
供应商设备封装： TO-247
包装： 管件
IXFA14N60P
IXFP14N60P
IXFH14N60P
Fig. 13. Maximum Transient Thermal Impedance
1.00
0.10
0.01
0.001
0.01
0.1
1
10
Pulse Width - Seconds
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
IXYS REF: F_14N60P(5J)12-22-08-G
相关PDF资料
PDF描述
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相关代理商/技术参数
参数描述
IXFH14N60P3 功能描述:MOSFET Polar3 HiPerFETs Power MOSFETs RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFH14N80 功能描述:MOSFET 14 Amps 800V 0.7 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFH14N80P 功能描述:MOSFET DIODE Id14 BVdass800 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFH150 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HIPERFET Power MOSFTETs
IXFH150N15P 功能描述:MOSFET 170 Amps 150V 0.013 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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