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参数资料
| 型号： | IXFH150N17T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 175V 150A TO-247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | TrenchHV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 175V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 150A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 12 毫欧 @ 75A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 3mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 155nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 9800pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 830W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
TrenchHV TM Power
MOSFET HiperFET TM
IXFH150N17T
V DSS
I D25
R DS(on)
= 175V
= 150A
≤ 12m Ω
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
TO-247
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V DSS
T J = 25 ° C to 175 ° C
175
V
V DGR
V GSM
T J = 25 ° C to 175 ° C, R GS = 1M Ω
Transient
175
± 30
V
V
G
D
S
(TAB)
I D25
T C = 25 ° C
150
A
I LRMS
I DM
I A
Lead Current Limit, RMS
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
75
400
75
A
A
A
G = Gate
S = Source
D = Drain
TAB = Drain
E AS
dV/dt
P D
T J
T JM
T stg
T L
T sold
M d
Weight
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , V DD ≤ V DSS , T J ≤ 175 ° C
T C = 25 ° C
1.6mm (0.062in.) from case for 10s
Plastic body for 10 seconds
Mounting torque
1.5
15
830
-55 ... +175
175
-55 ... +175
300
260
1.13 / 10
6
J
V/ns
W
° C
° C
° C
° C
° C
Nm/lb.in.
g
Features
International standard package
Avalanche rated
175°C Operating Temperature
High current handling capability
Advantages
Easy to mount
Space savings
High power density
Applications
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C unless otherwise specified)
BV DSS V GS = 0V, I D = 250 μ A
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
175 V
DC-DC converters
Battery chargers
Switched-mode and resonant-mode
V GS(th)
V DS = V GS , I D = 3mA
2.5
5.0
V
power supplies
DC choppers
I GSS
V GS = ± 20V, V DS = 0V
± 200 nA
AC motor drives
I DSS
V DS = V DSS
V GS = 0V
T J = 150 ° C
250
5
μ A
μ A
Uninterruptible power supplies
High speed power switching
applications
R DS(on)
V GS = 10V, I D = 0.5 ? I D25 , Notes 1
10
12 m Ω
Synchronous rectification
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
DS99895A(12/08)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFH15N100P | MOSFET N-CH 1000V 15A TO-247 |
| IXFH15N80 | MOSFET N-CH 800V 15A TO-247AD |
| IXFH160N15T2 | MOSFET N-CH 150V 160A TO-247 |
| IXFH160N15T | MOSFET N-CH 150V 160A TO-247 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFH150N17T2 | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N-CH 175V 150A TO-247 |
| IXFH150N20T | 功能描述:MOSFET Trench HiperFETs Power MOSFETs RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH15N100 | 功能描述:MOSFET 15 Amps 1000V 0.7 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH15N100 | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N TO-247 |
| IXFH15N100P | 功能描述:MOSFET 15 Amps 1000V 0.76 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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