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参数资料
| 型号： | IXFH150N17T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 175V 150A TO-247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | TrenchHV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 175V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 150A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 12 毫欧 @ 75A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 3mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 155nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 9800pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 830W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
IXFH150N17T
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
TO-247 (IXFH) Outline
g fs
C iss
V DS = 10V, I D = 60A, Note 1
75
118
9800
S
pF
C oss
V GS = 0V, V DS = 25V, f = 1MHz
1110
pF
1
2
3
?P
C rss
60
pF
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Resistive Switching Times
V GS = 10V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I D25
R G = 2 Ω (External)
22
30
58
30
ns
ns
ns
ns
Terminals: 1 - Gate
e
2 - Drain
Q g(on)
Q gs
Q gd
R thJC
R thCH
V GS = 10V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 25A
155
40
47
0.21
nC
nC
nC
0.18 ° C/W
° C/W
Dim. Millimeter
Min. Max.
A 4.7 5.3
A 1 2.2 2.54
A 2 2.2 2.6
b 1.0 1.4
b 1 1.65 2.13
b 2 2.87 3.12
Inches
Min. Max.
.185 .209
.087 .102
.059 .098
.040 .055
.065 .084
.113 .123
C .4 .8
D 20.80 21.46
.016 .031
.819 .845
Source-Drain Diode
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
I S V GS = 0V
I SM Repetitive, Pulse width limited by T JM
V SD
I F = 50A, V GS = 0V, Note 1
t rr
I F = 75A, V GS = 0V
-di/dt = 200A/ μ s
I RM
V R = 85V
Q RM
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
150
400
1.2
96
0.65
13.5
A
A
V
ns
A
nC
E 15.75 16.26
e 5.20 5.72
L 19.81 20.32
L1 4.50
? P 3.55 3.65
Q 5.89 6.40
R 4.32 5.49
.610 .640
0.205 0.225
.780 .800
.177
.140 .144
0.232 0.252
.170 .216
Note 1: Pulse test, t ≤ 300 μ s; duty cycle, d ≤ 2%.
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered
4,835,592
4,931,844
5,049,961
5,237,481
6,162,665
6,404,065 B1
6,683,344 6,727,585 7,005,734 B2
7,157,338B2
by one or more of the following U.S. patents: 4,850,072
5,017,508
5,063,307
5,381,025
6,259,123 B1
6,534,343
6,710,405 B2 6,759,692 7,063,975 B2
4,881,106
5,034,796
5,187,117
5,486,715
6,306,728 B1
6,583,505
6,710,463
6,771,478 B2 7,071,537
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFH15N100P | MOSFET N-CH 1000V 15A TO-247 |
| IXFH15N80 | MOSFET N-CH 800V 15A TO-247AD |
| IXFH160N15T2 | MOSFET N-CH 150V 160A TO-247 |
| IXFH160N15T | MOSFET N-CH 150V 160A TO-247 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFH150N17T2 | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N-CH 175V 150A TO-247 |
| IXFH150N20T | 功能描述:MOSFET Trench HiperFETs Power MOSFETs RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH15N100 | 功能描述:MOSFET 15 Amps 1000V 0.7 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH15N100 | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N TO-247 |
| IXFH15N100P | 功能描述:MOSFET 15 Amps 1000V 0.76 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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