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参数资料
| 型号： | IXFH160N15T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 160A TO-247 |
| 产品目录绘图： | TO-247AD 3-Leads |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | TrenchHV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 160A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9.6 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 160nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 8800pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 830W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
Preliminary Technical Information
Power MOSFET TrenchHV TM
HiPerFET TM
IXFH160N15T
V DSS
I D25
R DS(on)
= 150V
= 160A
≤ 9.6m Ω
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
Symbol
V DSS
V DGR
V GSM
I D25
Test Conditions
T J = 25°C to 175°C
T J = 25°C to 175°C, R GS = 1M Ω
Transient
T C = 25°C
Maximum
150
150
± 30
160
Ratings
V
V
V
A
TO-247 (IXFH)
I LRMS
I DM
I A
Lead Current Limit, RMS
T C = 25°C, pulse width limited by T JM
T C = 25°C
75
430
5
A
A
A
G
D
S
(TAB)
E AS
T C = 25°C
1
J
dV/dt
P d
I S ≤ I DM , V DD ≤ V DSS , T J ≤ 175°C
T C = 25°C
10
830
V/ns
W
G = Gate
S = Source
D = Drain
TAB = Drain
T J
T JM
-55 ... +175
175
°C
°C
T stg
T L
T SOLD
M d
Weight
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10s
Plastic body for 10 seconds
Mounting torque
-55 ... +175
300
260
1.13 / 10
6
°C
°C
°C
Nm/lb.in.
g
Features
Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
Low package inductance
- easy to drive and to protect
175 ° C Operating Temperature
Advantages
Easy to mount
Space savings
High power density
Symbol Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25°C unless otherwise specified)
Min. Typ. Max.
Applications
BV DSS
V GS(th)
V GS = 0V, I D = 250 μ A
V DS = V GS , I D = 1mA
150
2.5
5.0
V
V
DC-DC converters
Battery chargers
I GSS
V GS = ± 20V, V DS = 0V
± 200 nA
Switched-mode and resonant-mode
I DSS
R DS(on)
V DS = V DSS
V GS = 0V T J = 150°C
V GS = 10V, I D = 0.5 ? I D25 , Note 1
8.0
5 μ A
250 μ A
9.6 m Ω
power supplies
DC choppers
AC motor control
Uninterruptible power supplies
High speed power switching
applications
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
DS99965(01/08 )
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFH16N90Q | MOSFET N-CH 900V 16A TO-247 |
| IXFH20N100P | MOSFET N-CH 1000V 20A TO-247 |
| IXFH20N60 | MOSFET N-CH 600V 20A TO-247AD |
| IXFH22N55 | MOSFET N-CH 550V 22A TO-247AD |
| IXFH22N60P | MOSFET N-CH 600V 22A TO-247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFH160N15T2 | 功能描述:MOSFET Trench T2 HiperFET Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH16N120P | 功能描述:MOSFET 16 Amps 1200V 1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH16N50P | 功能描述:MOSFET 500V 16A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH16N50P3 | 功能描述:MOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH16N80P | 功能描述:MOSFET 16 Amps 800V 0.6 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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