- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录452 > IXFH160N15T (IXYS)MOSFET N-CH 150V 160A TO-247 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IXFH160N15T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 160A TO-247 |
| 产品目录绘图： | TO-247AD 3-Leads |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | TrenchHV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 160A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9.6 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 160nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 8800pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 830W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
IXFH160N15T
160
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25oC
V GS = 10V
350
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25oC
V GS = 10V
140
9V
8V
7V
300
9V
8V
120
250
100
6V
200
7V
80
150
60
40
100
6V
20
0
5V
50
0
5V
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 150oC
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 80A Value
vs. Junction Temperature
160
V GS = 10V
3.2
140
8V
7V
2.8
V GS = 10V
120
2.4
100
6V
80
60
2.0
1.6
I D = 160A
I D = 80A
40
20
0
5V
1.2
0.8
0.4
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
3.2
3.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
4.0
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 80A Value
vs. Drain Current
90
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Drain Current vs. Case Temperature
V GS = 10V
80
External Lead Current Limit
3.5
70
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
T J = 175oC
T J = 25oC
60
50
40
30
20
10
0
0
40
80
120
160
200
240
280
320
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
I D - Amperes
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
T C - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFH16N90Q | MOSFET N-CH 900V 16A TO-247 |
| IXFH20N100P | MOSFET N-CH 1000V 20A TO-247 |
| IXFH20N60 | MOSFET N-CH 600V 20A TO-247AD |
| IXFH22N55 | MOSFET N-CH 550V 22A TO-247AD |
| IXFH22N60P | MOSFET N-CH 600V 22A TO-247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFH160N15T2 | 功能描述:MOSFET Trench T2 HiperFET Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH16N120P | 功能描述:MOSFET 16 Amps 1200V 1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH16N50P | 功能描述:MOSFET 500V 16A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH16N50P3 | 功能描述:MOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH16N80P | 功能描述:MOSFET 16 Amps 800V 0.6 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。