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参数资料
| 型号： | IXFH20N60 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 20A TO-247AD |
| 产品目录绘图： | TO-247AD 3-Leads |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 20A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 350 毫欧 @ 10A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 170nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4500pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 300W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247AD |
| 包装： | 管件 |
HiPerFET TM
V DSS
I D25
R DS(on)
Power MOSFETs
IXFH/IXFM 15 N60
IXFH/IXFM 20 N60
600 V
600 V
15 A
20 A
0.50 W
0.35 W
N-Channel Enhancement Mode
High dv/dt, Low t rr , HDMOS TM Family
t rr ￡ 250 ns
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
TO-247 AD (IXFH)
V DSS
V DGR
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M W
600
600
V
V
V GS
V GSM
Continuous
Transient
± 20
± 30
V
V
(TAB)
I D25
I DM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
15N60
20N60
15N60
15
20
60
A
A
A
TO-204 AE (IXFM)
20N60
80
A
I AR
T C = 25 ° C
15N60
20N60
15
20
A
A
E AR
T C = 25 ° C
30
mJ
D
G
dv/dt
P D
I S ￡ I DM , di/dt ￡ 100 A/ m s, V DD ￡ V DSS ,
T J ￡ 150 ° C, R G = 2 W
T C = 25 ° C
5
300
V/ns
W
G = Gate,
S = Source,
D = Drain,
TAB = Drain
T J
T JM
T stg
-55 ... +150
150
-55 ... +150
° C
° C
° C
Features
? International standard packages
? Low R DS (on) HDMOS TM process
? Rugged polysilicon gate cell structure
T L
M d
Weight
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
Mounting torque
300 ° C
1.13/10 Nm/lb.in.
TO-204 = 18 g, TO-247 = 6 g
? Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
? Low package inductance
- easy to drive and to protect
? Fast intrinsic Rectifier
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
Applications
? DC-DC converters
? Synchronous rectification
? Battery chargers
V DSS
V GS = 0 V, I D = 250 m A
600
V
? Switched-mode and resonant-mode
power supplies
V GS(th)
I GSS
I DSS
V DS = V GS , I D = 4 mA
V GS = ± 20 V DC , V DS = 0
V DS = 0.8 ? V DSS
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
2.0
4.5
± 100
250
1
V
nA
m A
mA
? DC choppers
? AC motor control
? Temperature and lighting controls
? Low voltage relays
Advantages
V GS = 10 V, I D = 0.5 ? I D25
R DS(on)
15N60
20N60
Pulse test, t ￡ 300 m s, duty cycle d ￡ 2 %
0.50
0.35
W
W
? Easy to mount with 1 screw (TO-247)
(isolated mounting screw hole)
? Space savings
? High power density
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
? 2000 IXYS All rights reserved
91526E (4/99)
1-4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFH22N55 | MOSFET N-CH 550V 22A TO-247AD |
| IXFH22N60P | MOSFET N-CH 600V 22A TO-247 |
| IXFH230N075T2 | MOSFET N-CH 75V 230A TO-247 |
| IXFH230N10T | MOSFET N-CH 100V 230A TO-247 |
| IXFH24N50Q | MOSFET N-CH 500V 24A TO-247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFH20N60Q | 功能描述:MOSFET 20 Amps 600V 0.35 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH20N80P | 功能描述:MOSFET 20 Amps 800V 0.52 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH20N80Q | 功能描述:MOSFET 800V 20A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH21N50 | 功能描述:MOSFET 500V 21A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH21N50 | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N TO-247 |
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