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参数资料
| 型号： | IXFH20N60 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 20A TO-247AD |
| 产品目录绘图： | TO-247AD 3-Leads |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 20A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 350 毫欧 @ 10A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 170nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4500pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 300W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247AD |
| 包装： | 管件 |
IXFH 15N60
IXFM 15N60
IXFH 20N60
IXFM 20N60
Fig.7 Gate Charge Characteristic Curve
Fig.8 Forward Bias Safe Operating Area
10
9
8
7
V DS = 300V
I D = 20A
I G = 10mA
100
10
Limited by R DS(on)
10μs
100μs
6
5
4
1ms
10ms
3
2
1
0
1
0.1
100ms
0
20
40
60
80
100
120
140
1
10
100
600
Gate Charge - nCoulombs
Fig.9 Capacitance Curves
V DS - Volts
Fig.10 Source Current vs. Source
to Drain Voltage
4500
4000
3500
3000
C iss
f = 1 MHz
V DS = 25V
80
70
60
50
2500
2000
1500
40
30
T J = 125°C
T J = 25°C
1000
500
0
C oss
C rss
20
10
0
0
5
10
15
20
25
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
1
V CE - Volts
Fig.10 Transient Thermal Impedance
D=0.5
V SD - Volts
0.1
D=0.2
D=0.1
D=0.05
0.01 D=0.02
D=0.01
Single Pulse
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Pulse Width - Seconds
? 2000 IXYS All rights reserved
4-4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFH22N55 | MOSFET N-CH 550V 22A TO-247AD |
| IXFH22N60P | MOSFET N-CH 600V 22A TO-247 |
| IXFH230N075T2 | MOSFET N-CH 75V 230A TO-247 |
| IXFH230N10T | MOSFET N-CH 100V 230A TO-247 |
| IXFH24N50Q | MOSFET N-CH 500V 24A TO-247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFH20N60Q | 功能描述:MOSFET 20 Amps 600V 0.35 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH20N80P | 功能描述:MOSFET 20 Amps 800V 0.52 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH20N80Q | 功能描述:MOSFET 800V 20A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH21N50 | 功能描述:MOSFET 500V 21A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH21N50 | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N TO-247 |
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