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参数资料
| 型号： | IXFH230N10T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 230A TO-247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 230A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4.7 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 250nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 15300pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 650W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
Preliminary Technical Information
Trench HiperFET TM
Power MOSFET
IXFH230N10T
V DSS
I D25
R DS(on)
= 100V
= 230A
≤ 4.7m Ω
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
Fast Intrinsic Rectifier
TO-247
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V DSS
T J = 25 ° C to 175 ° C
100
V
V DGR
V GSS
T J = 25 ° C to 175 ° C, R GS = 1M Ω
Continuous
100
± 20
V
V
G
D
S
(TAB)
V GSM
Transient
± 30
V
I D25
I LRMS
I DM
T C = 25 ° C
Lead Current Limit, RMS
T C = 25 ° C, Pulse Width Limited by T JM
230
160
500
A
A
A
G = Gate
S = Source
D = Drain
TAB = Drain
I A
E AS
P D
T J
T JM
T stg
T L
T sold
Weight
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
1.6mm (0.062in.) from Case for 10s
Plastic Body for 10 Seconds
115
1.5
650
-55 ... +175
175
-55 ... +175
300
260
6
A
J
W
° C
° C
° C
° C
° C
g
Features
International Standard Package
175°C Operating Temperature
High Current Handling Capability
Avalanche Rated
Fast Intrinsic Rectifier
Low R DS(on)
Advantages
Easy to Mount
Space Savings
High Power Density
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C Unless Otherwise Specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
Applications
BV DSS
V GS(th)
I GSS
I DSS
V GS = 0V, I D = 1mA
V DS = V GS , I D = 1mA
V GS = ± 20V, V DS = 0V
V DS = V DSS
V GS = 0V
T J = 150 ° C
100
2.5
V
4.5 V
± 200 nA
50 μ A
3 mA
DC-DC Converters
Battery Chargers
Switched-Mode and Resonant-Mode
Power Supplies
DC Choppers
AC Motor Drives
Uninterruptible Power Supplies
R DS(on)
V GS = 10V, I D = 0.5 ? I D25 Notes 1, 2
4.7 m Ω
High Speed Power Switching
Applications
? 2009 IXYS CORPORATION, All rights reserved
DS100104(01/09)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFH24N50Q | MOSFET N-CH 500V 24A TO-247 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFH23N60Q | 功能描述:MOSFET 23 Amps 600V 0.32 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH23N80Q | 功能描述:MOSFET 23 Amps 800V 0.40 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH24N40 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HIPERFET Power MOSFTETs |
| IXFH24N50 | 功能描述:MOSFET 500V 24A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH24N50Q | 功能描述:MOSFET 500V 24A Q-Class RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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