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参数资料
型号： IXFH230N10T
厂商： IXYS
文件页数： 6/6页
文件大小： 0K
描述： MOSFET N-CH 100V 230A TO-247
标准包装： 30
系列： HiPerFET™
FET 型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点： 标准
漏极至源极电压(Vdss)： 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： 230A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： 4.7 毫欧 @ 500mA，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）： 4.5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs： 250nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds： 15300pF @ 25V
功率 - 最大： 650W
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-247-3
供应商设备封装： TO-247
包装： 管件
IXFH230N10T
Fig. 19. Maximum Transient Thermal Impedance
1.00
0.10
0.01
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Pulse Width - Seconds
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS REF: F_230N10T(7V)1-27-09
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PDF描述
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相关代理商/技术参数
参数描述
IXFH23N60Q 功能描述:MOSFET 23 Amps 600V 0.32 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFH23N80Q 功能描述:MOSFET 23 Amps 800V 0.40 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFH24N40 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HIPERFET Power MOSFTETs
IXFH24N50 功能描述:MOSFET 500V 24A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFH24N50Q 功能描述:MOSFET 500V 24A Q-Class RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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