- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录452 > IXFH230N10T (IXYS)MOSFET N-CH 100V 230A TO-247 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IXFH230N10T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 230A TO-247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 230A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4.7 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 250nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 15300pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 650W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
IXFH230N10T
48
Fig. 13. Resistive Turn-on
Rise Time vs. Junction Temperature
60
Fig. 14. Resistive Turn-on
Rise Time vs. Drain Current
47
46
45
R G = 1 ?
V GS = 10V
V DS = 50V
55
50
R G = 1 ?
V GS = 10V
V DS = 50V
T J = 125oC
44
43
I
D
= 200A
45
40
T J = 25oC
42
35
41
40
I
D
= 100A
30
39
38
25
20
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
40
60
80
100
120
140
160
180
200
T J - Degrees Centigrade
Fig. 15. Resistive Turn-on
Switching Times vs. Gate Resistance
I D - Amperes
Fig. 16. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Junction Temperature
500
100
28
56
450
400
350
300
250
200
t r t d(on) - - - -
T J = 125oC, V GS = 10V
V DS = 50V
I D = 200A, 100A
90
80
70
60
50
40
26
24
22
20
18
t f t d(off) - - - -
R G = 1 ? , V GS = 10V
V DS = 50V
I D = 100A
54
52
50
48
46
150
30
16
44
100
20
I D = 200A
50
0
10
0
14
12
42
40
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
R G - Ohms
Fig. 17. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Drain Current
T J - Degrees Centigrade
Fig. 18. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Gate Resistance
24
62
400
220
23
t f
t d(off) - - - -
60
360
t f
t d(off) - - - -
200
22
21
20
T J = 125oC
R G = 1 ? , V GS = 10V
V DS = 50V
58
56
54
320
280
T J = 125oC, V GS = 10V
V DS = 50V
I
D
= 200A
180
160
19
18
17
52
50
48
240
200
160
140
120
100
16
46
120
I
D
= 100A
80
15
44
14
13
12
T J = 25oC
42
40
38
80
40
0
60
40
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
I D - Amperes
? 2009 IXYS CORPORATION, All rights reserved
R G - Ohms
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFH24N50Q | MOSFET N-CH 500V 24A TO-247 |
| IXFH24N90P | MOSFET N-CH TO-247 |
| IXFH26N55Q | MOSFET N-CH 550V 26A TO-247 |
| IXFH28N50Q | MOSFET N-CH 500V 28A TO-247 |
| IXFH30N40Q | MOSFET N-CH 400V 30A TO-247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFH23N60Q | 功能描述:MOSFET 23 Amps 600V 0.32 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH23N80Q | 功能描述:MOSFET 23 Amps 800V 0.40 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH24N40 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HIPERFET Power MOSFTETs |
| IXFH24N50 | 功能描述:MOSFET 500V 24A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH24N50Q | 功能描述:MOSFET 500V 24A Q-Class RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。