- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录452 > IXFH14N100Q2 (IXYS)MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247AD Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IXFH14N100Q2 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247AD |
| 产品目录绘图： | TO-247AD 3-Leads |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1000V（1kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 14A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 950 毫欧 @ 7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 83nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2800pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 500W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247AD |
| 包装： | 管件 |
Preliminary Technical Information
HiPerFET TM
Power MOSFETs
Q2-Class
IXFH14N100Q2
V DSS
I D25
R DS(on)
t rr
=
=
≤
≤
1000V
14A
950m Ω
300ns
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated, High dv/dt, Low Q g
Low intrinsic R g , low t rr
TO-247 (IXFH)
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V DSS
T J = 25 ° C to 150 ° C
1000
V
V DGR
V GSS
T J = 25 ° C to 150 ° C, R GS = 1M Ω
Continuous
1000
± 30
V
V
G
D
S
(TAB)
V GSM
Transient
± 40
V
I D25
I DM
I A
E AS
dV/dt
P D
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , V DD ≤ V DSS , T J ≤ 150 ° C
T C = 25 ° C
14
56
14
2.5
20
500
A
A
A
J
V/ns
W
G = Gate
S = Source
Features
D = Drain
TAB = Drain
T J
T JM
T stg
-55 ... +150
150
-55 ... +150
° C
° C
° C
Double metal process for low gate
resistance
International standard package
T L
M d
Weight
1.6mm (0.063 in) from case for 10s
Mounting torque
300
1.13/10
6
° C
Nm/lb.in.
g
Epoxy meet UL 94 V-0, flammability
classification
Avalanche energy and current rated
Fast intrinsic Rectifier
Applications
DC-DC converters
Switched-mode and resonant-mode
power supplies, >500kHz switching
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
V DSS V GS = 0V, I D = 250 μ A
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
1000
V
DC choppers
Pulse generation
Laser drivers
V GS(th)
I GSS
V DS = V GS , I D = 4mA
V GS = ± 30V, V DS = 0V
3.0
5.5
± 200
V
nA
Advantages
I DSS
V DS = V DSS
V GS = 0V
T J = 125 ° C
25 μ A
1 mA
Easy to mount
Space savings
R DS(on)
V GS = 10V, I D = 0.5 ? I D25, Note 1
950
m Ω
High power density
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
DS99073A(5/08)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFH14N60P | MOSFET N-CH 600V 14A TO-247 |
| IXFH150N17T | MOSFET N-CH 175V 150A TO-247 |
| IXFH15N100P | MOSFET N-CH 1000V 15A TO-247 |
| IXFH15N80 | MOSFET N-CH 800V 15A TO-247AD |
| IXFH160N15T2 | MOSFET N-CH 150V 160A TO-247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFH14N100Q2_08 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs Q2-Class |
| IXFH14N60 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HIPERFET Power MOSFTETs |
| IXFH14N60P | 功能描述:MOSFET 600V 14A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH14N60P3 | 功能描述:MOSFET Polar3 HiPerFETs Power MOSFETs RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH14N80 | 功能描述:MOSFET 14 Amps 800V 0.7 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。