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参数资料
| 型号： | IXFH14N100Q2 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247AD |
| 产品目录绘图： | TO-247AD 3-Leads |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1000V（1kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 14A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 950 毫欧 @ 7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 83nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2800pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 500W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247AD |
| 包装： | 管件 |
IXFH14N100Q2
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25oC
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25oC
14
12
V GS = 10V
7V
27
24
21
V GS = 10V
8V
10
18
8
6
15
12
7V
4
6V
9
6V
6
2
0
5V
3
0
5V
0
2
4
6
8
10
12
14
0
3
6
9
12 15 18
21
24
27
30
14
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125oC
3.2
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to 0.5 I D25 Value vs.
Junction Temperature
12
10
V GS = 10V
7V
2.8
2.4
V GS = 10V
6V
8
6
4
2
0
5V
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
I D = 14A
I D = 7A
0
4
8
12
16
20
24
28
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
2.6
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to 0.5 I D25 Value vs. I D
16
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Drain Current vs. Case Temperature
2.4
2.2
2.0
V GS = 10V
T J = 125 o C
14
12
10
1.8
8
1.6
1.4
6
1.2
1.0
0.8
T J = 25 o C
4
2
0
0
3
6
9
12
15
18
21
24
27
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I
D
- Amperes
T C - Degrees Centigrade
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFH14N60P | MOSFET N-CH 600V 14A TO-247 |
| IXFH150N17T | MOSFET N-CH 175V 150A TO-247 |
| IXFH15N100P | MOSFET N-CH 1000V 15A TO-247 |
| IXFH15N80 | MOSFET N-CH 800V 15A TO-247AD |
| IXFH160N15T2 | MOSFET N-CH 150V 160A TO-247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFH14N100Q2_08 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs Q2-Class |
| IXFH14N60 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HIPERFET Power MOSFTETs |
| IXFH14N60P | 功能描述:MOSFET 600V 14A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH14N60P3 | 功能描述:MOSFET Polar3 HiPerFETs Power MOSFETs RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH14N80 | 功能描述:MOSFET 14 Amps 800V 0.7 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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