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参数资料
| 型号： | IXFH14N100Q2 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247AD |
| 产品目录绘图： | TO-247AD 3-Leads |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1000V（1kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 14A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 950 毫欧 @ 7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 83nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2800pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 500W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247AD |
| 包装： | 管件 |
IXFH14N100Q2
20
Fig. 7. Input Admittance
28
Fig. 8. Transconductance
18
16
14
24
20
T J = - 40 o C
12
10
8
6
T J = 125 o C
25 o C
- 40 o C
16
12
8
25 o C
125 o C
4
2
0
4
0
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
0
4
8
12 16
20
24
28
V GS - Volts
I
D
- Amperes
Fig. 9. Source Current vs. Source-To-Drain
45
Voltage
10
Fig. 10. Gate Charge
40
35
30
25
9
8
7
6
5
V DS = 500V
I D = 7A
I G = 10mA
20
15
10
5
0
T J = 125 o C
T J = 25 o C
4
3
2
1
0
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
V SD - Volts
Q
G
- nanoCoulombs
10000
1000
100
10
f = 1MHz
Fig. 11. Capacitance
C iss
C oss
C rss
1
0.1
0.01
0.001
Fig. 12. Maximum Transient Thermal
Impedance
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.01
0.1
1
10
100
1000
V DS - Volts
Pulse Width - milliseconds
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS REF: F_14N100Q2 (7F)5-28-08-B
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFH14N60P | MOSFET N-CH 600V 14A TO-247 |
| IXFH150N17T | MOSFET N-CH 175V 150A TO-247 |
| IXFH15N100P | MOSFET N-CH 1000V 15A TO-247 |
| IXFH15N80 | MOSFET N-CH 800V 15A TO-247AD |
| IXFH160N15T2 | MOSFET N-CH 150V 160A TO-247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFH14N100Q2_08 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs Q2-Class |
| IXFH14N60 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HIPERFET Power MOSFTETs |
| IXFH14N60P | 功能描述:MOSFET 600V 14A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH14N60P3 | 功能描述:MOSFET Polar3 HiPerFETs Power MOSFETs RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH14N80 | 功能描述:MOSFET 14 Amps 800V 0.7 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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