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参数资料
| 型号： | IXFH12N90 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 900V 12A TO-247AD |
| 产品目录绘图： | TO-247AD 3-Leads |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 900V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 900 毫欧 @ 6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 155nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4200pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 300W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247AD |
| 包装： | 管件 |
Fig. 1. Output Characteristics
IXFH 10N90
IXFM 10N90
IXFH 12N90
IXFM 12N90
Fig. 2. Input Admittance
IXFH 13N90
IXFT 13N90
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
T J = 25°C
V GS = 10V
7V
6V
5V
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
T J = 25°C
0
5
10
15
20
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V DS - Volts
Fig. 3. R DS(on) vs. Drain Current
V GS - Volts
Fig. 4. Temperature Dependence
1.5
2.50
of Drain to Source Resistance
1.4
1.3
T J = 25°C
2.25
2.00
1.75
1.2
1.1
V GS = 10V
1.50
1.25
I D = 6A
1.0
0.9
V GS = 15V
1.00
0.75
0.50
0
5
10
15
20
25
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
20
I D - Amperes
Fig. 5. Drain Current vs.
Case Temperature
1.2
T J - Degrees C
Fig. 6. Temperature Dependence of
Breakdown and Threshold Voltage
18
1.1
V GS(th)
BV DSS
16
14
12
10
8
6
4
2
0
12N90
10N90
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
T C - Degrees C
? 2003 IXYS All rights reserved
T J - Degrees C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFH13N100 | MOSFET N-CH 1000V 12.5A TO-247 |
| IXFH13N50 | MOSFET N-CH 500V 13A TO-247AD |
| IXFH14N100Q2 | MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247AD |
| IXFH14N60P | MOSFET N-CH 600V 14A TO-247 |
| IXFH150N17T | MOSFET N-CH 175V 150A TO-247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFH12N90P | 功能描述:MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH12N90Q | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-268 |
| IXFH13N100 | 功能描述:MOSFET 13 Amps 1000V 0.9 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH13N50 | 功能描述:MOSFET 500V 13A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH13N65 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HIPERFET Power MOSFTETs |
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