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参数资料
| 型号： | IXFG55N50 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 48A ISO264 |
| 标准包装： | 25 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 48A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 90 毫欧 @ 27.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 330nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 9400pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 400W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | ISO264? |
| 供应商设备封装： | ISO264? |
| 包装： | 管件 |
HiPerFET TM Power MOSFETs
ISOPLUS247 TM
(Electrically Isolated Back Surface)
IXFG 55N50
V DSS
I D25
R DS(on)
= 500 V
= 48 A
= 90 m ?
Single Die MOSFET
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
ISO264 TM
V DSS
V DGR
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M ?
500
500
V
V
V GS
V GSM
I D25
I DM
I AR
Continuous
Transient
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, Pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
± 20
± 30
48
220
55
V
V
A
A
A
G
D
G = Gate
S = Source
S
D = Drain
(TAB)
E AR
E AS
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
60
3
mJ
J
dv/dt
P D
T J
T JM
T stg
T L
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS
T J ≤ 150 ° C, R G = 2 ?
T C = 25 ° C
1.6 mm (0.063 in.) from case for 10 s
5
400
-40 ... +150
150
-40 ... +150
300
V/ns
W
° C
° C
° C
° C
Features
Silicon chip on Direct-Copper-Bond
substrate
- High power dissipation
- Isolated mounting surface
- 2500V electrical isolation
Low drain to tab capacitance(<50pF)
Low R DS (on) HDMOS TM process
V ISOL
50/60 Hz, RMS
t = 1 min
2500
V~
Rugged polysilicon gate cell structure
Unclamped Inductive Switching (UIS)
Md
Mounting torque
0.4/6 Nm/lb-in
rated
Fast intrinsic Rectifier
Weight
5
g
Applications
DC-DC converters
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
Battery chargers
Switched-mode and resonant-mode
power supplies
V DSS
V GS(th)
I GSS
I DSS
R DS(on)
V GS = 0 V, I D = 1mA
V DS = V GS , I D = 8mA
V GS = ± 20 V, V DS = 0
V DS = V DSS
V GS = 0 V
V GS = 10 V, I D = I T
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
500
2.5
V
4.5 V
± 200 nA
25 μ A
2 mA
90 m ?
DC choppers
AC motor control
Advantages
Easy assembly
Space savings
High power density
Note 1
? 2003 IXYS All rights reserved
DS99050(05/03)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFH100N25P | MOSFET N-CH 250V 100A TO-247 |
| IXFH102N15T | MOSFET N-CH 150V 102A TO-247 |
| IXFH10N100P | MOSFET N-CH 1KV 10A TO-247AD |
| IXFH10N100Q | MOSFET N-CH 1000V 10A TO-247AD |
| IXFH110N15T2 | MOSFET N-CH 150V 110A TO-247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFH 13N80 | 制造商:IXYS 功能描述:Bulk |
| IXFH 15N100Q | 制造商:IXYS 功能描述:Bulk |
| IXFH 9N80 | 制造商:IXYS 功能描述:Bulk |
| IXFH100N25P | 功能描述:MOSFET 100 Amps 250V 0.027 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH102N15T | 功能描述:MOSFET 102 Amps 0V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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