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参数资料
| 型号： | IXFG55N50 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 48A ISO264 |
| 标准包装： | 25 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 48A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 90 毫欧 @ 27.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 330nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 9400pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 400W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | ISO264? |
| 供应商设备封装： | ISO264? |
| 包装： | 管件 |
IXFG 55N50
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
ISO264 OUTLINE
g fs
C iss
V DS = 10 V; I D = I T
Note 1
45
9400
S
pF
C oss
C rss
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Q g(on)
Q gs
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = I T
R G = 1 ? (External),
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = I T
1280
460
45
60
120
45
330
55
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
Q gd
R thJC
R thCK
155
0.15
0.30
nC
K/W
K/W
1 - Gate
2 - Drain (Collector)
3 - Source (Emitter)
4 - No Connection
Source-Drain Diode
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Symbol
I S
I SM
V SD
t rr
Q RM
I RM
Test Conditions
V GS = 0 V
Repetitive; pulse width limited by T JM
I F = I S , V GS = 0 V
I F = 25A,-di/dt = 100 A/ μ s, V R = 100 V
min.
typ.
1.0
10
max.
55
220
1.5
250
A
A
V
ns
μ C
A
Note: 1. Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
2. I T test current: I T = 27.5A
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
See IXFK55N50 data sheet for
characteristic curves.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715 6,306,728B1 6,259,123B1 6,306,728B1
of the following U.S. patents:
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025 6,404,065B1 6,162,665
6,534,343
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFH100N25P | MOSFET N-CH 250V 100A TO-247 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IXFH 13N80 | 制造商:IXYS 功能描述:Bulk |
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| IXFH 9N80 | 制造商:IXYS 功能描述:Bulk |
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| IXFH102N15T | 功能描述:MOSFET 102 Amps 0V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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