- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录452 > IXFE73N30Q (IXYS)MOSFET N-CH 300V 66A SOT-227B Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IXFE73N30Q |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 300V 66A SOT-227B |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 300V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 66A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 46 毫欧 @ 36.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 190nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 6400pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 400W |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
| 包装： | 管件 |
HiPerFET TM
Power MOSFETs
Q-Class
IXFE 73N30Q
V DSS
I D25
R DS(on)
= 300 V
= 66 A
= 46 m ?
N-Channel Enhancement Mode
t rr ≤ 250 ns
Avalanche Rated, Low Q g , High dv/dt
Preliminary data sheet
ISOPLUS 227 TM (IXFE)
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
S
V DSS
V DGR
V GS
V GSM
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M ?
Continuous
Transient
300
300
± 20
± 30
V
V
V
V
G
I D25
I DM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, Note1
66
292
A
A
D
S
I AR
E AR
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
73
60
A
mJ
G = Gate
S = Source
D = Drain
E AS
2.5
J
Either Source terminal at miniBLOC can be used
as Main or Kelvin Source
dv/dt
P D
T J
T JM
T stg
V ISOL
M d
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS ,
T J ≤ 150 ° C, R G = 2 ?
T C = 25 ° C
50/60 Hz, RMS t = 1 min
I ISOL ≤ 1 mA t=1s
Mounting torque
Terminal connection torque
5
400
-55 to +150
150
-55 to +150
2500
3000
1.5/13
1.5/13
V/ns
W
° C
° C
° C
V~
V~
Nm/lb.in.
Nm/lb.in.
Features
? Conforms to SOT-227B outline
? Low R DS (on) HDMOS TM process
? Rugged polysilicon gate cell structure
? Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
? Low package inductance
? Fast intrinsic Rectifier
Weight
Symbol
V DSS
Test Conditions
V GS = 0 V, I D = 1 mA
19 g
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
300 V
Applications
? DC-DC converters
? Battery chargers
? Switched-mode and resonant-mode
power supplies
? DC choppers
? Temperature and lighting controls
V GS(th)
V DS = V GS , I D = 4 mA
2.0
4.0
V
I GSS
I DSS
R DS(on)
V GS = ± 20 V DC , V DS = 0
V DS = V DSS
V GS = 0 V
V GS = 10 V, I D = I T
Note1
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
± 100
100
2
46
nA
μ A
mA
m ?
Advantages
? Low cost
? Easy to mount
? Space savings
? High power density
? 2002 IXYS All rights reserved
98899 (1/02)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFE80N50 | MOSFET N-CH 500V 72A SOT-227B |
| IXFG55N50 | MOSFET N-CH 500V 48A ISO264 |
| IXFH100N25P | MOSFET N-CH 250V 100A TO-247 |
| IXFH102N15T | MOSFET N-CH 150V 102A TO-247 |
| IXFH10N100P | MOSFET N-CH 1KV 10A TO-247AD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFE80N50 | 功能描述:MOSFET 72 Amps 500V 0.055 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFF24N100 | 功能描述:MOSFET 22 Amps 1000V 0.39 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFF24N100_06 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFET |
| IXFG55N50 | 功能描述:MOSFET 48 Amps 500V 0.1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH 13N80 | 制造商:IXYS 功能描述:Bulk |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。