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参数资料
| 型号： | IXFC74N20P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 35A ISOPLUS220 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | PolarHT™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 35A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 36 毫欧 @ 37A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 107nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3300pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 120W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | ISOPLUS220? |
| 供应商设备封装： | ISOPLUS220? |
| 包装： | 散装 |
IXFC 74N20P
80
Fig. 1. Output Characte r is tics
@ 25 o C
200
Fig. 2. Exte nde d Output Characte r is tics
@ 25 o C
70
60
50
40
V GS = 10V
9V
8V
7V
180
160
140
120
100
V GS = 10V
9V
8V
7V
30
6V
80
60
20
40
6V
10
0
5V
20
0
5V
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
80
V D S - V olts
Fig. 3. Output Characte r is tics
@ 150 o C
3
V D S - V olts
Fig. 4. R DS(on ) Norm alize d to 0.5 I D25
V alue vs . Junction Te m pe r atur e
70
60
50
V GS = 10V
9V
8V
7V
2.6
2.2
V GS = 10V
40
30
6V
1.8
1.4
I D = 74A
I D = 37A
20
10
0
5V
1
0.6
0
1
2
3
4
5
6
7
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
5
4.5
V D S - V olts
Fig. 5. R DS(on) Nor m alize d to
0.5 I D25 V alue vs . I D
40
35
T J - Degrees Centigrade
Fig . 6. Dr ain Cu r r e n t vs . Cas e
T e m p e r atu r e
4
3.5
T J = 175oC
30
25
3
20
2.5
V GS = 10V
15
2
1.5
1
0.5
V GS = 15V
T J = 25oC
10
5
0
0
20
40
60
80
100 120 140 160 180 200
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
I D - A mperes
? 2006 IXYS All rights reserved
T C - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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| IXFE180N10 | 功能描述:MOSFET 176 Amps 1000V 0.008 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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