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参数资料
| 型号： | IXFC74N20P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 35A ISOPLUS220 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | PolarHT™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 35A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 36 毫欧 @ 37A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 107nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3300pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 120W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | ISOPLUS220? |
| 供应商设备封装： | ISOPLUS220? |
| 包装： | 散装 |
IXFC 74N20P
100
Fig. 7. Input Adm ittance
60
Fig. 8. Transconductance
90
50
80
70
60
50
40
40
30
T J = -40oC
25oC
150oC
30
20
10
0
T J = 150oC
25oC
-40oC
20
10
0
3.5
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
0
20
40
60
80
100
120
V G S - Volts
I D - Amperes
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
Fig. 9. Source Current vs.
Source-To-Drain Voltage
T J = 150oC
T J = 25oC
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
Fig. 10. Gate Charge
V DS = 100V
I D = 37A
I G = 10mA
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90 100 110
Fig. 12. For w ard-Bias
Fig. 12. Forw ard-Bias
Safe Ope r r ating Ar e e a
Safe Operating Area a
1000
10000
V S D - Volts
Fig. 11. Capacitance
1000
Q G - nanoCoulombs
Fig. 12. Forw ard-Bias
Safe Ope ating Ar
f = 1MHz
C iss
R DS(on) Limit
T J = 175oC
T C = 25oC
100
100
25μs
100
R DS(on) Lim it
25μs
25μs
100μs
1000
C oss
100μs
1ms
100μs
10
10
T T C C = = 25oC
1 1
100
C rss
10
1
DC
T J J = 175oC
25oC
D D C C
10ms
1m s
10m s
10 1
1000
0
5
10
15
20
25
30
35
40
1
10
100
100
1000
V D S - Volts
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
V D S - Volts
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