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参数资料
| 型号： | IXFC80N085 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 85V 80A ISOPLUS220 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 85V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 80A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 11 毫欧 @ 40A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 180nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4800pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 230W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | ISOPLUS220? |
| 供应商设备封装： | ISOPLUS220? |
| 包装： | 管件 |
HiPerFET TM MOSFET IXFC 80N085
ISOPLUS220 TM
Electrically Isolated Back Surface
N-Channel Enhancement Mode
High dv/dt, Low t rr , HDMOS TM Family
V DSS = 85 V
I D25 = 80 A
R DS(on) = 11 m ?
t rr ≤ 200 ns
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V DSS
V DGR
V GS
V GSM
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M ?
Continuous
Transient
85
85
± 20
± 30
V
V
V
V
ISOPLUS220 TM
I D25
I L(RMS)
I DM
T C = 25 ° C
Lead current limit
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
80
45
75
A
A
A
G
D
S
Isolated back surface*
I AR
E AR
E AS
dv/dt
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS ,
T J ≤ 150 ° C, R G = 2 ?
320
30
1.0
5
A
mJ
J
V/ns
G = Gate,
S = Source
* Patent pending
Features
D = Drain,
P D
T J
T JM
T stg
T L
F C
V ISOL
T C = 25 ° C
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
Mounting force
50/60 Hz, RMS t = 1 minute leads-to-tab
230 W
-55 ... +150 ° C
150 ° C
-55 ... +150 ° C
300 ° C
11..65/2.4..11 Nm/lb
2500 V~
Silicon chip on Direct-Copper-Bond
substrate
- High power dissipation
- Isolated mounting surface
- 2500V electrical isolation
Low drain to tab capacitance(<35pF)
Low R DS (on)
Rugged polysilicon gate cell structure
Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
Weight
2
g
Fast intrinsicRectifier
Applications
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
DC-DC converters
Battery chargers
Switched-mode and resonant-mode
power supplies
V DSS
V GS = 0 V, I D = 250 μ A
85
V
DC choppers
AC motor control
V GS(th)
I GSS
I DSS
R DS(on)
V DS = V GS , I D = 4 mA
V GS = ± 20 V DC , V DS = 0
V DS = V DSS
V GS = 0 V
V GS = 10 V, I D = I T
Notes 1, 2
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
2.0
4.0 V
± 100 nA
50 μ A
1 mA
11 m ?
Advantages
Easy assembly: no screws or isolation
foils required
Space savings
High power density
Low collector capacitance to ground
(low EMI)
? 2004 IXYS All rights reserved
DS98851D(05/04)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFC80N10 | MOSFET N-CH 100V 80A ISOPLUS220 |
| IXFC96N15P | MOSFET N-CH 150V 42A ISPLUS220 |
| IXFE180N10 | MOSFET N-CH 100V 176A ISOPLUS227 |
| IXFE180N20 | MOSFET N-CH 200V 158A ISOPLUS227 |
| IXFE23N100 | MOSFET N-CH 1000V 21A ISOPLUS227 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFC80N10 | 功能描述:MOSFET 100 Amps 100V 0.0125 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFC96N15P | 功能描述:MOSFET 42 Amps 150V 0.024 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFE180N10 | 功能描述:MOSFET 176 Amps 1000V 0.008 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFE180N20 | 功能描述:MOSFET 180 Amps 200V 0.01 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFE23N100 | 功能描述:MOSFET 21 Amps 1000V 0.43 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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