参数资料
型号: IXFC74N20P
厂商: IXYS
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描述: MOSFET N-CH 200V 35A ISOPLUS220
标准包装: 50
系列: PolarHT™ HiPerFET™
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 35A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 36 毫欧 @ 37A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 5V @ 4mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 107nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 3300pF @ 25V
功率 - 最大: 120W
安装类型: 通孔
封装/外壳: ISOPLUS220?
供应商设备封装: ISOPLUS220?
包装: 散装
IXFC 74N20P
Fig. 13. Maxim um Transient Therm al Resistance
10.00
1.00
0.10
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width - milliseconds
? 2006 IXYS All rights reserved
IXYS REF: T_74N20P (6S) 6-15-05-D.xls
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PDF描述
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参数描述
IXFC80N08 功能描述:MOSFET 80 Amps 80V 0.009 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFC80N085 功能描述:MOSFET 80 Amps 85V 0.009 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFC80N10 功能描述:MOSFET 100 Amps 100V 0.0125 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFC96N15P 功能描述:MOSFET 42 Amps 150V 0.024 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFE180N10 功能描述:MOSFET 176 Amps 1000V 0.008 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube