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参数资料
| 型号： | IXFC36N50P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 19A ISOPLUS220 |
| 产品目录绘图： | ISOPLUS220 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | PolarHV™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 19A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 190 毫欧 @ 18A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 93nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5500pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 156W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | ISOPLUS220? |
| 供应商设备封装： | ISOPLUS220? |
| 包装： | 管件 |
IXFC 36N50P
IXFR 36N50P
55
50
Fig. 7. Input Adm ittance
70
Fig. 8. Trans conductance
45
40
35
30
60
50
40
T J = -40oC
25oC
125oC
25
20
15
10
5
0
T J = 125oC
25oC
-40oC
30
20
10
0
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
V G S - V olts
Fig. 9. Sour ce Cur re nt vs .
Sour ce -To-Dr ain V oltage
10
I D - A mperes
Fig. 10. Gate Char ge
90
80
70
60
50
40
9
8
7
6
5
4
V DS = 250V
I D = 18A
I G = 10m A
30
20
10
0
T J = 125oC
T J = 25oC
3
2
1
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
V S D - V olts
Q
G
- nanoCoulombs
10000
Fig. 11. Capacitance
C is s
1000
Fig . 12. Fo r w ar d -Bias
Safe Op e r atin g A r e a
T J = 150oC
T C = 25oC
1000
C oss
100
R D S(on) Lim it
25μs
100μs
100
10
f = 1MH z
C rs s
10
1
DC
1m s
10m s
0
5
10
15 20 25
V D S - V olts
30
35
40
10
V D
100
S - V olts
1000
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFC60N20 | MOSFET N-CH 200V 60A ISOPLUS220 |
| IXFC74N20P | MOSFET N-CH 200V 35A ISOPLUS220 |
| IXFC80N085 | MOSFET N-CH 85V 80A ISOPLUS220 |
| IXFC80N10 | MOSFET N-CH 100V 80A ISOPLUS220 |
| IXFC96N15P | MOSFET N-CH 150V 42A ISPLUS220 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFC40N30Q | 功能描述:MOSFET 40 Amps 300V 0.088W Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFC52N30P | 功能描述:MOSFET 24 Amps 300V 0.066 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFC52N30P_08 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:PolarHT Power MOSFET HiPerFET |
| IXFC60N20 | 功能描述:MOSFET 60 Amps 200V 0.033 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFC74N20P | 功能描述:MOSFET 35 Amps 200V 0.034 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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