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参数资料
| 型号： | IXFE48N50QD3 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 41A SOT-227B |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 41A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 110 毫欧 @ 24A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 190nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 8000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 400W |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
| 包装： | 管件 |
IXFE44N50QD2
IXFE44N50QD3
IXFE48N50QD2
IXFE48N50QD3
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
ISOPLUS-227 B
V DSS
V GS(th)
I GSS
I DSS
V GS = 0 V, I D = 1 mA
V DS = V GS , I D = 4 mA
V GS = ± 20 V DC , V DS = 0
V DS = V DSS
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
500
2
4
± 100
100
2
V
V
nA
μ A
mA
R DS(on)
V GS = 10 V, I D = I T 44N50Q
48N50Q
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle δ ≤ 2 %
0.12
0.11
?
?
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
g fs
C iss
C oss
C rss
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Q g(on)
Q gs
Q gd
R thJC
R thCK
V DS = 10 V, I D = I T , pulse test
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
V GS = 10 V, V DS = 0.5 V DSS , I D = I T
R G = 1 ? (External)
V GS = 10 V, V DS = 0.5 V DSS , I D = I T
30
36
8000
930
220
33
22
75
10
190
40
86
0.07
0.31
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
K/W
K/W
Ultra-fast Diode
Characteristic Values
Symbol
Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
Please note:
For characteristic curves please see
I R
V F
T J = 25 ° C; V R = V RRM
T J = 150 ° C; V R = 0.8V RRM
I F = 60A, V GS = 0 V
Note1
T J = 150 ° C
200
2.5
2.05
1.4
μ A
mA
V
V
IXFK48N50Q
t rr
I RM
I I = 1A, di/dt = -200 A/ μ s, V R = 30 V, T J = 25 ° C
I F = 60A, di/dt = -100 A/ μ s, V R = 100 V, T J = 100 ° C
35
50
8.3
ns
A
R thJC
0.7 K/W
R thJK
Note: 1. Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
2. IXFE44N50 I T = 22A
IXFE48N50 I T = 24A
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
0.05
K/W
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more
4,850,072
4,931,844
5,034,796
5,063,307
5,237,481
5,381,025
6,404,065B1
6,162,665
6,534,343 6,583,505
of the following U.S. patents:
4,835,592
4,881,106
5,017,508
5,049,961
5,187,117
5,486,715
6,306,728B1
6,259,123B1 6,306,728B1 6,683,344
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFE48N50QD2 | MOSFET N-CH 500V 41A SOT-227B |
| IXTN21N100 | MOSFET N-CH 1KV 21A SOT-227B |
| CR5310-1 | TRANSDCR VOTAGE DC 0-1VDC IN |
| 9110-18RED | PATCHCORD .025" SQ SCKT RED 18" |
| CR4420S-15 | TRANSDCR CRRNT RMS AC 0-15AAC IN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFE50N50 | 功能描述:MOSFET 47 Amps 500V 0.1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFE55N50 | 功能描述:MOSFET 52 Amps 500V 0.08 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFE73N30Q | 功能描述:MOSFET 66 Amps 300V 0.046 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFE80N50 | 功能描述:MOSFET 72 Amps 500V 0.055 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFF24N100 | 功能描述:MOSFET 22 Amps 1000V 0.39 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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