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参数资料
| 型号： | IXFE50N50 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 50A SOT-227B |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 50A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 100 毫欧 @ 25A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 330nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 9400pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 500W |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
| 包装： | 散装 |
HiPerFET TM
V DSS
I D25
R DS(on)
Power MOSFET
Single Die MOSFET
IXFE 55N50
IXFE 50N50
500 V 50 A
500 V 47 A
t rr ≤ 250 ns
90 m ?
100 m ?
Preliminary data sheet
ISOPLUS 227 TM (IXFE)
Symbol Test Conditions
Maximum Ratings
S
V DSS
V DGR
V GS
V GSM
T J = 25°C to 150°C
T J = 25°C to 150°C, R GS = 1M ?
Continuous
Transient
500
500
± 20
± 30
V
V
V
V
G
I D25
I DM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C;
Note 1
55N50
50N50
55N50
50N50
47
50
200
220
A
A
A
A
G = Gate
S = Source
D
D = Drain
S
I AR
E AR
dv/dt
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS
T J ≤ 150 ° C, R G = 2 ?
55
60
5
A
mJ
V/ns
Either Source terminal at miniBLOC can be used
as Main or Kelvin Source
Features
? Low cost direct-copper bonded
P D
T J
T JM
T stg
V ISOL
M d
Weight
T C = 25 ° C
50/60 Hz, RMS t = 1 min
I ISOL ≤ 1 mA t=1s
Mounting torque
Terminal connection torque
500 W
-40 ... +150 ° C
150 ° C
-40 ... +150 ° C
2500 V~
3000 V~
1.5/13 Nm/lb.in.
1.5/13 Nm/lb.in.
19 g
aluminium package
? Encapsulating epoxy meets
UL 94 V-0, flammability classification
? 2500V isolation
? Low drain to case capacitance
? Low R DS (on) HDMOS TM process
? Rugged polysilicon gate cell structure
? Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
? Low package inductance
? Fast intrinsic Rectifier
? Conforms to SOT-227B outline
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
V DSS V GS = 0 V, I D = 1mA
V GS(th) V DS = V GS , I D = 8mA
I GSS V GS = ± 20V, V GS = 0V
Min.
500
2.5
Characteristic Values
Typ. Max.
V
4.5 V
± 200 nA
Applications
? DC-DC converters
? Battery chargers
? Switched-mode and resonant-mode
power supplies
? DC choppers
? Temperature and lighting controls
I DSS
R DS(on)
V DS = V DSS
V GS = 0 V
V GS = 10V, I D = I T
Note 2
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
55N50
50N50
25 μ A
2 mA
90 m ?
100 m ?
Advantages
? Easy to mount
? Space savings
? High power density
? 2003 IXYS All rights reserved
DS98904(04/03)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| V-10G5-1A4-K | SWITCH ROLLER SPDT 10A .187QC |
| YGM1 C515 | THERM PTC MINI-BEAD 3MM 150C |
| IXFN100N20 | MOSFET N-CH 200V 100A SOT-227B |
| 6356-36 | KIT ALLIG CLIP PATCH CORD 36" |
| CR4220S-40 | XMITTER AC CRRNT 4-20MA 0-40AAC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFE55N50 | 功能描述:MOSFET 52 Amps 500V 0.08 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFE73N30Q | 功能描述:MOSFET 66 Amps 300V 0.046 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFE80N50 | 功能描述:MOSFET 72 Amps 500V 0.055 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFF24N100 | 功能描述:MOSFET 22 Amps 1000V 0.39 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFF24N100_06 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFET |
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