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参数资料
| 型号： | IXFH110N10P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 110A TO-247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | PolarHT™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 110A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 15 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 110nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3550pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 480W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
PolarHT TM HiPerFET
Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode
Fast Intrinsic Diode
Avalanche Rated
IXFH 110N10P
IXFV 110N10P
IXFV 110N10PS
V DSS = 100 V
I D25 = 110 A
R DS(on) ≤ 15 m ?
t rr ≤ 150 ns
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
TO-247 (IXFH)
V DSS
V DGR
T J = 25 ° C to 175 ° C
T J = 25 ° C to 175 ° C; R GS = 1 M ?
100
100
V
V
V GSS
V GSM
Continuous
Transient
± 20
± 30
V
V
G
D
S
(TAB)
I D25
I D(RMS)
I DM
I AR
E AR
T C = 25 ° C
External lead current limit
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
110
75
250
60
40
A
A
A
A
mJ
PLUS220 (IXFV)
E AS
dv/dt
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS ,
1.0
10
J
V/ns
G
D
S
D (TAB)
T J ≤ 150 ° C, R G = 4 ?
P D
T J
T JM
T stg
T C = 25 ° C
480
-55 ... +175
175
-55 ... +150
W
° C
° C
° C
PLUS220SMD (IXFV...S)
T L
T SOLD
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
Plastic body for 10 s
300
260
° C
° C
G
S
D (TAB)
M d
Mounting torque
(TO-247)
1.13/10 Nm/lb.in.
Fast intrinsic diode
F C
Weight
Mounting Force
TO-247
PLUS220
(PLUS220)
11..65 / 2.5..15
6
4
N/lb
g
g
G = Gate
S = Source
Features
l
D = Drain
TAB = Drain
l
International standard packages
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
BV DSS V GS = 0 V, I D = 250 μ A
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
100 V
l
l
Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
Low package inductance
- easy to drive and to protect
V GS(th)
V DS = V GS , I D = 4 mA
2.5
5.0
V
Easy to mount
I GSS
V GS = ± 20 V DC , V DS = 0
± 100
nA
Advantages
l
I DSS
V DS = V DSS
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
25
250
μ A
μ A
l
l
Space savings
High power density
R DS(on)
V GS = 10 V, I D = 0.5 I D25
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
15
m ?
? 2006 IXYS All rights reserved
DS99212E(01/06)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M2122TCG01 | SW TGLE DPDT RED ILL S GOLD SLD |
| D8G0317N | SWITCH ROTARY 3P-17POS OPEN FRM |
| FXO-PC538-622.08 | OSC 622.08 MHZ 3.3V PECL SMD |
| B32526R6226K | FILM CAP 22UF 10% 400V |
| FXO-LC738-600 | OSC 600 MHZ 3.3V LVDS SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFH110N15T2 | 功能描述:MOSFET 110 Amps 150V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH110N25T | 功能描述:MOSFET 110 Amps 0V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH11N100 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HIPERFET Power MOSFTETs |
| IXFH11N60 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HIPERFET Power MOSFTETs |
| IXFH11N80 | 功能描述:MOSFET 11 Amps 800V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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