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参数资料
| 型号： | IXFH110N10P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 110A TO-247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | PolarHT™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 110A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 15 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 110nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3550pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 480W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
IXFH 110N10P IXFV110N10P
IXFV 110N10PS
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Min. Typ. Max.
TO-247 (IXFH) Outline
g fs
V DS = 10 V; I D = 0.5 I D25 , pulse test
30
40
S
C iss
C oss
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
3550
1370
pF
pF
1
2
3
C rss
t d(on)
440
21
pF
ns
t r
V GS = 10 V, V DS = 0.5 V DSS , I D = 60 A
25
ns
t d(off)
t f
R G = 4 ? (External)
65
25
ns
ns
Terminals: 1 - Gate 2 - Drain
3 - Source TAB - Drain
Dim. Millimeter Inches
Q g(on)
Q gs
Q gd
R thJC
R thCS
V GS = 10 V, V DS = 0.5 V DSS , I D = 0.5 I D25
(TO-247)
110
25
62
0.21
nC
nC
nC
0.31 ° C/W
° C/W
Min. Max.
A 4.7 5.3
A 1 2.2 2.54
A 2 2.2 2.6
b 1.0 1.4
1.65 2.13
b 1
b 2
2.87 3.12
C .4 .8
D 20.80 21.46
Min. Max.
.185 .209
.087 .102
.059 .098
.040 .055
.065 .084
.113 .123
.016 .031
.819 .845
E 15.75 16.26
e 5.20 5.72
L 19.81 20.32
.610 .640
0.205 0.225
.780 .800
Source-Drain Diode
Symbol Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Min. Typ. Max.
L1 4.50
? P 3.55 3.65
Q 5.89 6.40
R 4.32 5.49
.177
.140 .144
0.232 0.252
.170 .216
I S
V GS = 0 V
110
A
S 6.15 BSC
242 BSC
I SM
V SD
Repetitive
I F = I S , V GS = 0 V,
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
250
1.5
A
V
PLUS220 (IXFV) Outline
t rr
Q RM
I F = 25 A, -di/dt = 100 A/ μ s
V R = 50 V, V GS = 0 V
0.6
150 ns
μ C
PLUS220SMD (IXFV_S) Outline
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by 4,835,592
4,931,844
5,049,961
5,237,481
6,162,665
6,404,065 B1
6,683,344
6,727,585
one or moreof the following U.S. patents:
4,850,072
4,881,106
5,017,508
5,034,796
5,063,307
5,187,117
5,381,025
5,486,715
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,534,343
6,583,505
6,710,405B2
6,710,463
6,759,692
6771478 B2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M2122TCG01 | SW TGLE DPDT RED ILL S GOLD SLD |
| D8G0317N | SWITCH ROTARY 3P-17POS OPEN FRM |
| FXO-PC538-622.08 | OSC 622.08 MHZ 3.3V PECL SMD |
| B32526R6226K | FILM CAP 22UF 10% 400V |
| FXO-LC738-600 | OSC 600 MHZ 3.3V LVDS SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFH110N15T2 | 功能描述:MOSFET 110 Amps 150V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH110N25T | 功能描述:MOSFET 110 Amps 0V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH11N100 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HIPERFET Power MOSFTETs |
| IXFH11N60 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HIPERFET Power MOSFTETs |
| IXFH11N80 | 功能描述:MOSFET 11 Amps 800V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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