- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录18662 > IXFH12N100 (IXYS)MOSFET N-CH 1KV 12A TO-247AD PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IXFH12N100 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1KV 12A TO-247AD |
| 产品目录绘图： | TO-247AD 3-Leads |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1000V（1kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.05 欧姆 @ 6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 155nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 300W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247AD |
| 包装： | 管件 |
HiPerFET TM
Power MOSFETs
IXFH/IXFM 10 N100
IXFH/IXFM 12 N100
V DSS
1000 V
1000 V
I D25 R DS(on)
10 A 1.20 ?
12 A 1.05 ?
N-Channel Enhancement Mode
High dv/dt, Low t rr , HDMOS TM Family
t rr ≤ 250 ns
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
TO-247 AD (IXFH)
V DSS
V DGR
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M ?
1000
1000
V
V
V GS
V GSM
Continuous
Transient
± 20
± 30
V
V
(TAB)
I D25
T C = 25 ° C
10N100
12N100
10
12
A
A
I DM
I AR
E AR
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
10N100
12N100
10N100
12N100
40
48
10
12
30
A
A
A
A
mJ
TO-204 AA (IXFM)
dv/dt
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS ,
T J ≤ 150 ° C, R G = 2 ?
5
V/ns
D
G
P D
T J
T C = 25 ° C
300
-55 ... +150
W
° C
G = Gate,
S = Source,
D = Drain,
TAB = Drain
T JM
T stg
150
-55 ... +150
° C
° C
T L
M d
Weight
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
Mounting torque
300 ° C
1.13/10 Nm/lb.in.
TO-204 = 18 g, TO-247 = 6 g
Features
International standard packages
Low R DS (on) HDMOS TM process
Rugged polysilicon gate cell structure
Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
Low package inductance
- easy to drive and to protect
Fast intrinsic Rectifier
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
Applications
DC-DC converters
Synchronous rectification
Battery chargers
V DSS
V GS(th)
I GSS
I DSS
V GS = 0 V, I D = 3 mA
V DS = V GS , I D = 4 mA
V GS = ± 20 V DC , V DS = 0
V DS = 0.8 ? V DSS
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
1000
2.0
4.5
± 100
250
1
V
V
nA
μ A
mA
Switched-mode and resonant-mode
power supplies
DC choppers
AC motor control
Temperature and lighting controls
Low voltage relays
Advantages
R DS(on)
V GS = 10 V, I D = 0.5 ? I D25 10N100
12N100
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
1.20
1.05
?
?
Easy to mount with 1 screw (TO-247)
(isolated mounting screw hole)
Space savings
High power density
? 2004 IXYS All rights reserved
DS91531F(01/04)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| XPEHEW-L1-R250-00CE8 | LED XLAMP XPE HIEFF WHITE SMD |
| 186S36 | CABLE SGL-END R/A FMAL 6POS 3' |
| IXFH15N80Q | MOSFET N-CH 800V 15A TO-247AD |
| XPEHEW-01-R250-00GF5 | LED XLAMP XPE HIEFF WHITE SMD |
| 353P3S4 | CABLE STR MALE-R/A FMALE 3POS 4M |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFH12N100 | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N TO-247 |
| IXFH12N100F | 功能描述:MOSFET 12 Amps 1000V 1.05 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH12N100F_03 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerRF Power MOSFETs |
| IXFH12N100P | 功能描述:MOSFET 12 Amps 1000V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH12N100Q | 功能描述:MOSFET 12 Amps 1000V 1.05 Ohms Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。