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参数资料
| 型号： | IXFH12N100Q |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247AD |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1000V（1kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.05 欧姆 @ 6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 90nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2900pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 300W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247AD |
| 包装： | 管件 |
IXFH/IXFT 12N100Q
IXFH/IXFT 10N100Q
20
15
T J = 25 C
16
O
V GS = 10V
9V
8V
7V
12
T J = 125 O C
V GS = 10V
9V
8V
7V
6V
12
8
6V
9
6
4
5V
3
5V
0
0
4
8
12
16
20
0
0
6
12
18
24
30
2.4
V DS - Volts
Figure 1. Output Characteristics at 25 O C
V DS - Volts
Figure 2. Output Characteristics at 125 O C
2.5
2.2
2.0
1.8
1.6
V GS = 10V
T J = 125 O C
2.0
V GS = 10V
I D = 12A
1.4
1.2
1.0
T J = 25 O C
1.5
I D = 6A
0.8
0
4
8
12
16
20
1.0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
Figure 3. R DS(on) normalized to value at I D = 12A
16
T J - Degrees C
Figure 4. R DS(on) normalized to value at I D = 12A
12
10
12
8
8
6
4
T J = 125 o C
4
2
T J = 25 o C
0
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
0
3
4
5
6
7
T C - Degrees C
Figure 5. Drain Current vs. Case Temperature
? 2002 IXYS All rights reserved
V GS - Volts
Figure 6. Admittance Curves
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| A11203RNCB | SWITCH ROTARY SP 12POS PC MNT |
| FXO-PC738-132.81251 | OSC 132.81251 MHZ 3.3V PECL SMD |
| A18JH | SW TOGGLE SPDT RT ANG BRKT PCB |
| A11215RNCBE | ROTARY SWITCH 12 POS |
| HCM49-24.00014MABJ-UT | CRYSTAL 24.00014 MHZ 18PF SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFH12N120 | 功能描述:MOSFET 12 Amps 1200V 1.3 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH12N120P | 功能描述:MOSFET 12 Amps 1200V 1.15 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH12N50 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HIPERFET Power MOSFTETs |
| IXFH12N50F | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH12N80P | 功能描述:MOSFET DIODE Id12 BVdass800 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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