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参数资料
| 型号： | IXFH12N100Q |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247AD |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1000V（1kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.05 欧姆 @ 6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 90nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2900pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 300W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247AD |
| 包装： | 管件 |
IXFH/IXFT 12N100Q
IXFH/IXFT 10N100Q
12
5000
10
V DS = 500V
I D = 6A
2500
Ciss
f = 1MHz
8
6
1000
500
Coss
4
2
250
100
Crss
0
0
20
40
60
80
100
50
0
5
10
15
20
25
30
35
40
Gate Charge - nC
Figure 7. Gate Charge
30
25
100
V DS - Volts
Figure 8. Capacitance Curves
T J = 125 C
20
15
O
10
0.1ms
1ms
T J = 25 C
T C = 25 C
10
O
1
O
10ms
100ms
5
0
0.1
DC
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
10
100
1000
V SD - Volts
Figure 9. Source Current vs. Source to Drain Voltage
1
D=0.5
V DS - Volts
Figure 10. Forward Bias Safe Operating Area
0.1
D=0.2
D=0.1
D=0.05
0.01
D=0.02
D=0.01
Single pulse
D = Duty Cycle
0.001
10 -5
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
10 0
10 1
Pulse Width - Seconds
Figure 11. Transient Thermal Resistance
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
6,306,728B1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| A11203RNCB | SWITCH ROTARY SP 12POS PC MNT |
| FXO-PC738-132.81251 | OSC 132.81251 MHZ 3.3V PECL SMD |
| A18JH | SW TOGGLE SPDT RT ANG BRKT PCB |
| A11215RNCBE | ROTARY SWITCH 12 POS |
| HCM49-24.00014MABJ-UT | CRYSTAL 24.00014 MHZ 18PF SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFH12N120 | 功能描述:MOSFET 12 Amps 1200V 1.3 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH12N120P | 功能描述:MOSFET 12 Amps 1200V 1.15 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH12N50 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HIPERFET Power MOSFTETs |
| IXFH12N50F | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH12N80P | 功能描述:MOSFET DIODE Id12 BVdass800 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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