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参数资料
| 型号： | IXFH14N100 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1000V（1kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 14A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 750 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 220nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4500pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 360W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
12
IXFH14N100
IXFH15N100
5000
IXFT14N100
IXFT15N100
IXFX15N100
IXFX14N100
10
8
6
4
DS 500V
Vds=300V
7.5A
I D =30A
I G =10mA
2500
1000
500
Ciss
Coss
Crss
f = 1MHz
2
250
0
0
40
80
120
160
200
240
280
100
0
5
10
15
20
25
30
35
40
Gate Charge - nC
V DS - Volts
40
32
24
16
8
Fig.7 Gate Charge Characteristic Curve
T J = 125 O C
T J = 25 O C
Fig.8
Capacitance Curves
0
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
V SD - Volts
Fig.9 Source current vs Source drain voltage.
1
0.1
Single pulse
0.01
10 -3
10 -2
10 -1
10 0
10 1
Pulse Width - Seconds
Fig.10 Transient Thermal Impedance
? 2000 IXYS All rights reserved
4-4
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PDF描述 |
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参数描述 |
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