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参数资料
| 型号： | IXFH15N100P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1000V 15A TO-247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | Polar™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1000V（1kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 15A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 760 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 6.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 97nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5140pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 543W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
IXFH15N100P IXFV15N100P
IXFV15N100PS
16
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25oC
30
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25oC
14
V GS = 10V
9V
27
V GS = 10V
24
12
21
9V
10
18
8
8V
15
6
12
8V
9
4
7V
6
2
0
3
0
7V
0
2
4
6
8
10
12
0
3
6
9
12
15
18
21
24
27
30
16
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125oC
3.0
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 7.5A Value
vs. Junction Temperature
14
V GS = 10V
9V
2.8
2.6
V GS = 10V
12
10
8V
2.4
2.2
2.0
8
1.8
I D = 15A
6
7V
1.6
1.4
I D = 7.5A
1.2
4
1.0
2
0
6V
0.8
0.6
0.4
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
2.6
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 7.5A Value
vs. Drain Current
16
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
2.4
2.2
2
V GS = 10V
T J = 125oC
14
12
10
1.8
8
1.6
6
1.4
1.2
4
1
0.8
T J = 25oC
2
0
0
3
6
9
12
15
18
21
24
27
30
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
T C - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFH15N80 | MOSFET N-CH 800V 15A TO-247AD |
| IXFH160N15T2 | MOSFET N-CH 150V 160A TO-247 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFH15N100Q | 功能描述:MOSFET 15 Amps 1000V 0.725 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH15N100Q3 | 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/15A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH15N60 | 功能描述:MOSFET 15 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH15N65 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HIPERFET Power MOSFTETs |
| IXFH15N80 | 功能描述:MOSFET 800V 15A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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