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参数资料
| 型号： | IXFH170N10P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 170A TO-247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | Polar™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 170A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 198nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 6000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 714W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
Polar TM HiperFET TM
Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode
IXFH170N10P
IXFK170N10P
V DSS
I D25
R DS(on)
t rr
= 100V
= 170A
≤ 9m Ω
≤ 150ns
Avalanche Rated
Fast Intrinsic Rectifier
TO-247 (IXFH)
Symbol
V DSS
V DGR
Test Conditions
T J = 25°C to 175°C
T J = 25°C to 175°C, R GS = 1M Ω
Maximum Ratings
100
100
V
V
G
D
S
Tab
V GSS
V GSM
I D25
I L(RMS)
I DM
Continuous
Transient
T C = 25°C
External Lead Current Limit
T C = 25°C, Pulse Width Limited by T JM
± 20
± 30
170
160
350
V
V
A
A
A
TO-264 (IXFK)
I A
E AS
T C = 25°C
T C = 25°C
60
2
A
J
G
D
S
Tab
dv/dt
P D
I S ≤ I DM , V DD ≤ V DSS , T J ≤ 175°C
T C = 25°C
10
715
V/ns
W
G = Gate
S = Source
D = Drain
Tab = Drain
T J
T JM
-55 to +175
+175
°C
°C
T stg
-55 to +175
°C
Features
T L
1.6mm (0.063in) from Case for 10s
300
°C
T SOLD
M d
Weight
Plastic Body for 10s
Mounting Torque
TO-247
TO-264
260
1.13/10
6
10
°C
Nm/lb.in.
g
g
International Standard Packages
Fast Intrinsic Rectifier
Avalanche Rated
Low R DS(ON) and Q G
Low Package Inductance
Advantages
Symbol Test Conditions
(T J = 25°C, Unless Otherwise Specified)
BV DSS V GS = 0V, I D = 250 μ A
V GS(th) V DS = V GS , I D = 4mA
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
100
2.5 5.0
V
V
High Power Density
Easy to Mount
Space Savings
I GSS
I DSS
V GS = ± 20V, V DS = 0V
V DS = V DSS , V GS = 0V
±100 nA
25 μ A
Applications
R DS(on)
T J = 150°C
V GS = 10V, I D = 0.5 ? I D25 , Note 1
V GS = 15V, I D = 350A
7
500 μ A
9 m Ω
m Ω
Switch-Mode and Resonant-Mode
Power Supplies
DC-DC Converters
Laser Drivers
AC and DC Motor Drives
Robotics and Servo Controls
? 2010 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
DS99380F(01/10)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| B25620B1297K982 | PEC MKP DC 295 UF 1980 V |
| IXFH150N15P | MOSFET N-CH 150V 150A TO-247 |
| B25620B1217K982 | PEC MKP DC 215 UF 1980 V |
| D225K150E | RESISTOR POWER ADJ 150 OHM 225W |
| B32653A6484J | FILM CAP 0.48UF 5% 630V MKP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFH17N60 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HIPERFET Power MOSFTETs |
| IXFH17N65 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HIPERFET Power MOSFTETs |
| IXFH17N80Q | 功能描述:MOSFET 17 Amps 800V 0.60 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH18N100Q3 | 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/18A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH18N50 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HIPERFET Power MOSFTETs |
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