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参数资料
| 型号： | IXFH170N10P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 5/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 170A TO-247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | Polar™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 170A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 198nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 6000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 714W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
IXFH170N10P
IXFK170N10P
Fig. 13. Maximum Transient Thermal Impedance
1.000
0.100
0.010
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Pulse Width - Seconds
? 2010 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
IXYS REF: T_170N10P(8S)01-07-10-C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| B25620B1297K982 | PEC MKP DC 295 UF 1980 V |
| IXFH150N15P | MOSFET N-CH 150V 150A TO-247 |
| B25620B1217K982 | PEC MKP DC 215 UF 1980 V |
| D225K150E | RESISTOR POWER ADJ 150 OHM 225W |
| B32653A6484J | FILM CAP 0.48UF 5% 630V MKP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFH17N60 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HIPERFET Power MOSFTETs |
| IXFH17N65 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HIPERFET Power MOSFTETs |
| IXFH17N80Q | 功能描述:MOSFET 17 Amps 800V 0.60 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH18N100Q3 | 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/18A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH18N50 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HIPERFET Power MOSFTETs |
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