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参数资料
| 型号： | IXFH20N80P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 800V 20A TO-247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | PolarHV™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 800V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 20A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 520 毫欧 @ 10A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 86nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4685pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 500W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
IXFH 20N80P IXFT 20N80P
IXFV 20N80P IXFV 20N80PS
20
Fig. 1. Output Characte ris tics
@ 25 o C
36
Fig. 2. Exte nde d Output Characte ris tics
@ 25 o C
18
16
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10
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6
4
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0
V GS = 10V
7V
6V
5V
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0
V GS = 10V
7V
6V
5V
0
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3
6
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18
21
24
27
30
20
V D S - V olts
Fig. 3. Output Characte ris tics
@ 125 o C
2.6
V D S - V olts
Fig. 4. R DS(on ) Norm alize d to I D = 10A
V alue vs . Junction Te m pe ratur e
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
V GS = 10V
7V
6V
5V
2.4
2.2
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
V GS = 10V
I D = 20A
I D = 10A
0
2
4
6
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20
22
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
2.6
V D S - V olts
Fig. 5. R DS(on) Nor m alize d to
I D = 10A V alue vs . Drain Curre nt
22
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Dr ain Curr e nt vs . Cas e
Te m pe r ature
2.4
2.2
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
V GS = 10V
T J = 125 o C
T J = 25 o C
20
18
16
14
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10
8
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2
0
0
5
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-25
0
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75
100
125
150
I D - A mperes
? 2006 IXYS All rights reserved
T C - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FXO-PC536R-30 | OSC 30 MHZ 3.3V PECL SMD |
| AOCJY-13.000MHZ-E | OSC OCXO 13.000MHZ 3.3V SQWV SMD |
| B25832C4126K9 | MKV CAPACITOR 12UF 640V |
| 5120.0300.1 | 5120 APPLIANCE INLET FLTR 1A M5 |
| AOCJY-20.000MHZ-E-SW | OSC OCXO 20.000MHZ 3.3V SNWV SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFH20N80Q | 功能描述:MOSFET 800V 20A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH21N50 | 功能描述:MOSFET 500V 21A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH21N50 | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N TO-247 |
| IXFH21N50F | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH21N50Q | 功能描述:MOSFET 21 Amps 500V 0.25 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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