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参数资料
| 型号： | IXFH20N80P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 800V 20A TO-247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | PolarHV™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 800V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 20A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 520 毫欧 @ 10A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 86nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4685pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 500W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
IXFH 20N80P IXFT 20N80P
IXFV 20N80P IXFV 20N80PS
24
Fig. 7. Input Adm ittance
40
Fig. 8. Tr ans conductance
20
16
T J = 125 o C
35
30
25
T J = -40 o C
25 o C
125 o C
12
25 o C
-40 o C
20
15
8
10
4
0
5
0
3.5
3.75
4
4.25
4.5
4.75
5
5.25
5.5
5.75
0
5
10
15
20
25
60
V G S - V olts
Fig. 9. Source Cur r e nt vs .
Sour ce -To-Dr ain V oltage
10
I D - A mperes
Fig. 10. Gate Char ge
9
V DS = 400V
50
40
30
8
7
6
5
I D = 10A
I G = 10m A
20
10
0
T J = 125 o C
T J = 25 o C
4
3
2
1
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
V S D - V olts
Q
G
- nanoCoulombs
10000
Fig. 11. Capacitance
1.00
Fig. 12. M axim um Tr ans ie nt The rm al
Re s is tance
C is s
1000
0.10
C os s
100
10
f = 1MH z
C rs s
0.01
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.1
1
10
100
1000
V D S - V olts
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
Pulse Width - milliseconds
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FXO-PC536R-30 | OSC 30 MHZ 3.3V PECL SMD |
| AOCJY-13.000MHZ-E | OSC OCXO 13.000MHZ 3.3V SQWV SMD |
| B25832C4126K9 | MKV CAPACITOR 12UF 640V |
| 5120.0300.1 | 5120 APPLIANCE INLET FLTR 1A M5 |
| AOCJY-20.000MHZ-E-SW | OSC OCXO 20.000MHZ 3.3V SNWV SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFH20N80Q | 功能描述:MOSFET 800V 20A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH21N50 | 功能描述:MOSFET 500V 21A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH21N50 | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N TO-247 |
| IXFH21N50F | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH21N50Q | 功能描述:MOSFET 21 Amps 500V 0.25 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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