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参数资料
| 型号： | IXFH22N60P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 22A TO-247 |
| 产品目录绘图： | TO-247AD 3-Leads |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | PolarHV™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 22A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 350 毫欧 @ 11A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 58nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3600pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 400W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
IXFH 22N60P IXFV22N60P
IXFV 22N60PS
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
TO-247 AD (IXFH) Outline
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Min. Typ. Max.
g fs
V DS = 20 V; I D = 0.5 I D25 , pulse test
15
20
S
C iss
C oss
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
3600
305
pF
pF
1
2
3
C rss
t d(on)
38
20
pF
ns
t r
t d(off)
V GS = 10 V, V DS = 0.5 V DSS , I D = I D25
R G = 4 ? (External)
20
60
ns
ns
Terminals: 1 - Gate
3 - Source
2 - Drain
Tab - Drain
t f
23
ns
Dim.
Millimeter
Min. Max.
Inches
Min. Max.
Q g(on)
Q gs
Q gd
R thJC
R thCS
V GS = 10 V, V DS = 0.5 V DSS , I D = 0.5 I D25
58
20
22
0.21
nC
nC
nC
0.31 ° C/W
° C/W
A 4.7 5.3
A 1 2.2 2.54
A 2 2.2 2.6
b 1.0 1.4
b 1 1.65 2.13
b 2 2.87 3.12
C .4 .8
D 20.80 21.46
E 15.75 16.26
.185 .209
.087 .102
.059 .098
.040 .055
.065 .084
.113 .123
.016 .031
.819 .845
.610 .640
e 5.20 5.72
L 19.81 20.32
L1 4.50
0.205 0.225
.780 .800
.177
Source-Drain Diode
Symbol Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Min. Typ. Max.
? P 3.55 3.65
Q 5.89 6.40
R 4.32 5.49
S 6.15 BSC
.140 .144
0.232 0.252
.170 .216
242 BSC
I S
V GS = 0 V
22
A
I SM
V SD
Repetitive
I F = I S , V GS = 0 V,
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
66
1.5
A
V
PLUS220 (IXFV) Outline
t rr
Q RM
I F = 26A
-di/dt = 100 A/ μ s
V R = 100V, V GS = 0 V
1.0
200
ns
μ C
PLUS220SMD (IXFV_S) Outline
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by 4,835,592
4,931,844
5,049,961
5,237,481
6,162,665
6,404,065 B1
6,683,344
6,727,585
one or moreof the following U.S. patents:
4,850,072
4,881,106
5,017,508
5,034,796
5,063,307
5,187,117
5,381,025
5,486,715
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,534,343
6,583,505
6,710,405B2
6,710,463
6,759,692
6,771,478 B2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFH230N075T2 | MOSFET N-CH 75V 230A TO-247 |
| IXFH230N10T | MOSFET N-CH 100V 230A TO-247 |
| IXFH24N50Q | MOSFET N-CH 500V 24A TO-247 |
| IXFH24N90P | MOSFET N-CH TO-247 |
| IXFH26N55Q | MOSFET N-CH 550V 26A TO-247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFH22N60P3 | 功能描述:MOSFET 600V 22A 0.36Ohm PolarP3 Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH230N075T2 | 功能描述:MOSFET 230 Amps 75V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH230N10T | 功能描述:MOSFET 230Amps 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH23N60Q | 功能描述:MOSFET 23 Amps 600V 0.32 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH23N80Q | 功能描述:MOSFET 23 Amps 800V 0.40 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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