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参数资料
| 型号： | IXFH30N50Q3 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 30A TO-247 |
| 特色产品： | Q3-Class HiPerFET? Power MOSFETs |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 30A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 200 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 6.5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 62nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3200pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 690W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
IXFT30N50Q3
IXFH30N50Q3
45
Fig. 7. Input Admittance
45
Fig. 8. Transconductance
40
35
30
25
20
T J = 125oC
40
35
30
25
20
T J = - 40oC
25oC
125oC
15
10
5
0
25oC
- 40oC
15
10
5
0
3.5
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
7.5
8
8.5
9
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
100
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of Intrinsic Diode
16
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
80
60
14
12
10
8
V DS = 250V
I D = 15A
I G = 10mA
40
20
0
T J = 125oC
T J = 25oC
6
4
2
0
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
10000
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
100
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Forward-Bias Safe Operating Area
Ciss
R DS(on) Limit
25μs
100μs
1000
100
Coss
10
1
T J = 150oC
1ms
10
f = 1 MHz
Crss
0.1
T C = 25oC
Single Pulse
0
5
10
15
20
25
30
35
40
10
100
1,000
V DS - Volts
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
V DS - Volts
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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