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参数资料
| 型号： | IXFH30N60Q |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 30A TO-247AD |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 30A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 230 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 125nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4700pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 500W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247AD |
| 包装： | 管件 |
HiPerFET TM
Power MOSFETs
Q-Class
IXFH 30N60Q V DSS
IXFT 30N60Q I D25
R DS(on)
= 600 V
= 30 A
= 0.23 ?
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated, High dv/dt, Low Q g
Preliminary Data Sheet
t rr ≤ 250 ns
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
TO-247 AD (IXFH)
V DSS
V DGR
V GS
V GSM
I D25
I DM
I AR
E AR
E AS
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M ?
Continuous
Transient
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
600
600
± 20
± 30
30
120
30
45
1.5
V
V
V
V
A
A
A
mJ
J
TO-268 (D3) ( IXFT)
(TAB)
dv/dt
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS ,
T J ≤ 150 ° C, R G = 2 ?
10
V/ns
G
S
(TAB)
P D
T C = 25 ° C
500
W
T J
T JM
T stg
T L
1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
° C
° C
° C
° C
G = Gate
S = Source
D = Drain
TAB = Drain
M d
Mounting torque
TO-247
1.13/10 Nm/lb.in.
Features
Weight
TO-247
TO-268
6
4
g
g
Low gate charge
International standard packages
Epoxy meet UL 94 V-0, flammability
classification
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
Low R DS (on) HDMOS TM process
Rugged polysilicon gate cell structure
Avalanche energy and current rated
Fast intrinsic Rectifier
V DSS
V GS = 0 V, I D = 250 μ A
Temperature Coefficient
600
0.095
V
%/K
Advantages
V GS(th)
I GSS
I DSS
V DS = V GS , I D = 4 mA
Temperature Coefficient
V GS = ± 20 V DC , V DS = 0
V DS = V DSS
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
2.5
- 0.24
4.5
± 200
25
1
V
%/K
nA
μ A
mA
Easy to mount
Space savings
High power density
R DS(on)
V GS = 10 V, I D = 0.5 ? I D25
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
0.23
?
? 2003 IXYS All rights reserved
DS99059(06/03)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFH36N55Q2 | MOSFET N-CH 550V 36A TO-247 |
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| IXFH40N30 | MOSFET N-CH 300V 40A TO-247AD |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFH320N10T2 | 功能描述:MOSFET TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 100V 320A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH32N50 | 功能描述:MOSFET 500V 32A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH32N50 | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N TO-247 |
| IXFH32N50Q | 功能描述:MOSFET 32 Amps 500V 0.15 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH32N50S | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 32A I(D) | TO-247VAR |
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