参数资料
型号: IXFH30N60Q
厂商: IXYS
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文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 600V 30A TO-247AD
标准包装: 30
系列: HiPerFET™
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 30A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 230 毫欧 @ 500mA,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4.5V @ 4mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 125nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 4700pF @ 25V
功率 - 最大: 500W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247-3
供应商设备封装: TO-247AD
包装: 管件
IXFH 30N60Q
IXFT 30N60Q
27
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25 Deg. C
70
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25 deg. C
24
21
18
15
V G S = 10V
9V
8V
7V
6V
60
50
40
V G S = 10V
9V
8V
7V
6V
12
30
9
6
3
0
5V
20
10
0
5V
0
1
2
3 4 5
V DS - Volts
6
7
8
0
4
8
12
V DS - Volts
16
20
24
27
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125 Deg. C
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D25 Value vs.
Junction Temperature
2.8
24
V G S = 10V
9V
2.5
V G S = 10V
21
18
15
12
9
8V
7V
6V
5V
2.2
1.9
1.6
1.3
I D = 30 A
I D = 15A
6
3
0
1
0.7
0.4
0
2
4
6
8
10
12
14
16
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
3.1
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D25
Value vs. I D
30
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Drain Current vs. Case
Temperature
2.8
2.5
2.2
1.9
1.6
1.3
1
0.7
V G S = 10V
T J = 125oC
T J = 25oC
25
20
15
10
5
0
0
10
20
30
40
50
60
70
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
? 2003 IXYS All rights reserved
T C - Degrees Centigrade
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IXFH32N50 功能描述:MOSFET 500V 32A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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IXFH32N50S 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 32A I(D) | TO-247VAR