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参数资料
| 型号： | IXFH30N60Q |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 30A TO-247AD |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 30A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 230 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 125nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4700pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 500W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247AD |
| 包装： | 管件 |
IXFH 30N60Q
IXFT 30N60Q
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
TO-247 AD (IXFH) Outline
g fs
V DS = 10 V; I D = 0.5 ? I D25 , pulse test
14
22
S
C iss
C oss
C rss
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
4700
580
230
pF
pF
pF
1
2
3
Terminals:
1 - Gate
2 - Drain
3 - Source
Tab - Drain
t d(on)
30
ns
t r
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I D25
32
ns
t d(off)
R G = 2.0 ? (External),
80
ns
Dim.
Millimeter
Min. Max.
Inches
Min. Max.
t f
Q g(on)
Q gs
Q gd
R thJC
R thCK
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I D25
TO-247
16
125
28
76
0.25
0.25
ns
nC
nC
nC
K/W
K/W
A
A 1
A 2
b
b 1
b 2
C
D
E
e
L
4.7
2.2
2.2
1.0
1.65
2.87
.4
20.80
15.75
5.20
19.81
5.3
2.54
2.6
1.4
2.13
3.12
.8
21.46
16.26
5.72
20.32
.185
.087
.059
.040
.065
.113
.016
.819
.610
0.205
.780
.209
.102
.098
.055
.084
.123
.031
.845
.640
0.225
.800
L1
4.50
.177
? P
Q
R
S
3.55
5.89
4.32
6.15
3.65
6.40
5.49
BSC
.140
0.232
.170
242
.144
0.252
.216
BSC
Source-Drain Diode
Characteristic Values
Symbol
Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
TO-268 Outline
I S
I SM
V SD
V GS = 0 V
Repetitive; pulse width limited by T JM
I F = I S , V GS = 0 V,
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
26
104
1.5
A
A
V
t rr
Q RM
I RM
I F = I S -di/dt = 100 A/ μ s, V R = 100 V
1
10
250
ns
μ C
A
Terminals:
1 - Gate
2 - Drain
3 - Source
Tab - Drain
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715 6,306,728B1 6,259,123B1 6,306,728B1
of the following U.S. patents:
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025 6,404,065B1 6,162,665
6,534,343
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFH36N55Q2 | MOSFET N-CH 550V 36A TO-247 |
| IXFH36N55Q | MOSFET N-CH 550V 36A TO-247 |
| IXFH400N075T2 | MOSFET N-CH 75V 400A TO-247 |
| IXFH40N30 | MOSFET N-CH 300V 40A TO-247AD |
| IXFH42N60P3 | MOSFET N-CH 600V 42A TO247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFH320N10T2 | 功能描述:MOSFET TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 100V 320A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH32N50 | 功能描述:MOSFET 500V 32A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH32N50 | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N TO-247 |
| IXFH32N50Q | 功能描述:MOSFET 32 Amps 500V 0.15 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH32N50S | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 32A I(D) | TO-247VAR |
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