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参数资料
| 型号： | IXFH340N075T2 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 75V 340A TO-247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | TrenchT2™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 75V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 340A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.2 毫欧 @ 100A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 3mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 300nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 19000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 935W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
IXFH340N075T2
IXFT340N075T2
350
Fig. 1. Output Characteristics
@ T J = 25oC
V GS = 15V
400
V GS = 15V
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ T J = 25oC
300
250
10V
9V
8V
7V
350
300
10V
8V
7V
250
200
6V
200
6V
150
100
50
0
5V
4V
150
100
50
0
5V
4V
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
350
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ T J = 150oC
2.4
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 170A Value vs.
Junction Temperature
300
V GS = 15V
10V
9V
2.2
V GS = 10V
250
200
8V
7V
6V
2.0
1.8
1.6
I D = 340A
I D = 170A
150
1.4
100
50
0
5V
4V
1.2
1.0
0.8
0.6
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
2.4
2.2
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 170A Value vs.
Drain Current
180
160
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Drain Current vs. Case Temperature
External Lead Current Limit
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
V GS = 10V
15V - - - - -
T J = 175oC
T J = 25oC
140
120
100
80
60
40
20
0
0
40
80
120
160
200
240
280
320
360
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
I D - Amperes
? 2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
T C - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 8865-AT | TOOL ASSY FOR NO POLISH 250/900 |
| 165P72 | CABLE SGL-END STR PLUG 5POS 6' |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| IXFH36N50P | 功能描述:MOSFET 500V 36A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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