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参数资料
| 型号： | IXFH36N55Q |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 550V 36A TO-247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 550V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 36A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 160 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 128nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4500pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 500W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
IXFH 36N55Q
IXFT 36N55Q
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
TO-247 AD (IXFH) Outline
g fs
V DS = 20 V; I D = 0.5 ? I D25 , pulse test
22
33
S
C iss
C oss
C rss
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
4500
600
160
pF
pF
pF
1
2
3
Terminals:
1 - Gate
2 - Drain
3 - Source
Tab - Drain
t d(on)
17
ns
t r
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I D25
18
ns
t d(off)
R G
= 2.0 ? (External),
54
ns
Dim.
Millimeter
Inches
t f
Q g(on)
15
128
ns
nC
A
A 1
A 2
Min.
4.7
2.2
2.2
Max.
5.3
2.54
2.6
Min.
.185
.087
.059
Max.
.209
.102
.098
Q gs
Q gd
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I D25
26
56
nC
nC
b
b 1
b 2
1.0
1.65
2.87
1.4
2.13
3.12
.040
.065
.113
.055
.084
.123
C
.4
.8
.016
.031
R thJC
0.25
K/W
D
E
20.80
15.75
21.46
16.26
.819
.610
.845
.640
R thCK
(TO-247)
0.25
K/W
e
5.20
5.72
0.205
0.225
L
L1
? P
19.81
3.55
20.32
4.50
3.65
.780
.140
.800
.177
.144
Source-Drain Diode
Symbol Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
Q
R
S
5.89
4.32
6.15
6.40
5.49
BSC
0.232
.170
242
0.252
.216
BSC
I S
I SM
V SD
V GS = 0 V
Repetitive; pulse width limited by T JM
I F = I S , V GS = 0 V,
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
36
148
1.5
A
A
V
TO-268 Outline
t rr
Q RM
I RM
I F = 25A, -di/dt = 100 A/ μ s, V R = 100 V
1.0
10
250
ns
μ C
A
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
Terminals: 1 - Gate
3 - Source
2 - Drain
Tab - Drain
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715 6,306,728B1 6,259,123B1 6,306,728B1
of the following U.S. patents:
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025 6,404,065B1 6,162,665
6,534,343
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFH400N075T2 | MOSFET N-CH 75V 400A TO-247 |
| IXFH40N30 | MOSFET N-CH 300V 40A TO-247AD |
| IXFH42N60P3 | MOSFET N-CH 600V 42A TO247 |
| IXFH44N50Q3 | MOSFET N-CH 500V 44A TO-247 |
| IXFH60N20 | MOSFET N-CH 200V 60A TO-247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFH36N55Q2 | 功能描述:MOSFET 36 Amps 550V 0.16 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH36N60P | 功能描述:MOSFET 600V 36A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH400N075T2 | 功能描述:MOSFET TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 75V 400A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH40N30 | 功能描述:MOSFET 300V 40A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH40N30 | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N TO-247 |
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