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参数资料
| 型号： | IXFH36N55Q |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 550V 36A TO-247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 550V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 36A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 160 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 128nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4500pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 500W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
IXFH 36N55Q
IXFT 36N55Q
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25 Deg. C
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25 deg. C
36
31.5
27
22.5
18
13.5
9
4.5
0
V G S = 10V
7V
6V
5V
81
72
63
54
45
36
27
18
9
0
V G S = 10V
7V
6V
5V
0
1
2
3 4
V DS - Volts
5
6
7
0
3
6
9 12 15
V DS - Volts
18
21
24
36
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125 Deg. C
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D25 Value vs.
Junction Temperature
2.8
31.5
27
22.5
18
V G S = 10V
7V
6V
2.5
2.2
1.9
1.6
V G S = 10V
I D = 36A
13.5
9
4.5
0
5V
1.3
1
0.7
0.4
I D = 18A
0
2
4
6
8
10
12
14
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
3.1
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D25
Value vs. I D
40
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Drain Current vs. Case
Temperature
2.8
2.5
2.2
1.9
1.6
1.3
1
0.7
V G S = 10V
T J = 125 o C
T J = 25 o C
35
30
25
20
15
10
5
0
0
9
18
27
36
45
54
63
72
81
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
? 2003 IXYS All rights reserved
T C - Degrees Centigrade
DS99003A(05/03)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFH400N075T2 | MOSFET N-CH 75V 400A TO-247 |
| IXFH40N30 | MOSFET N-CH 300V 40A TO-247AD |
| IXFH42N60P3 | MOSFET N-CH 600V 42A TO247 |
| IXFH44N50Q3 | MOSFET N-CH 500V 44A TO-247 |
| IXFH60N20 | MOSFET N-CH 200V 60A TO-247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFH36N55Q2 | 功能描述:MOSFET 36 Amps 550V 0.16 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH36N60P | 功能描述:MOSFET 600V 36A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH400N075T2 | 功能描述:MOSFET TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 75V 400A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH40N30 | 功能描述:MOSFET 300V 40A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH40N30 | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N TO-247 |
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