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参数资料
| 型号： | IXFH40N30 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 300V 40A TO-247AD |
| 产品目录绘图： | TO-247AD 3-Leads |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 300V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 40A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 85 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 200nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4800pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 300W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247AD |
| 包装： | 管件 |
IXFH 35N30
IXFM 35N30
IXFH 40N30
IXFM 40N30
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ.
max.
TO-247 AD (IXFH) Outline
g fs
C iss
C oss
C rss
t d(on)
V DS = 10 V; I D = 0.5 I D25 , pulse test
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
22
25
4800
745
280
20
30
S
pF
pF
pF
ns
t r
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 I D25
60
90
ns
t d(off)
R G = 2 W (External)
75
100
ns
Dim. Millimeter
Min. Max.
Inches
Min. Max.
t f
45
90
ns
A
19.81 20.32
0.780 0.800
B
20.80 21.46
0.819 0.845
Q g(on)
177
200
nC
C
15.75 16.26
0.610 0.640
Q gs
Q gd
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 I D25
28
78
50
105
nC
nC
D
E
F
3.55 3.65
4.32 5.49
5.4 6.2
0.140 0.144
0.170 0.216
0.212 0.244
R thJC
R thCK
0.25
0.42
K/W
K/W
G
H
J
1.65 2.13
- 4.5
1.0 1.4
0.065 0.084
- 0.177
0.040 0.055
K
10.8 11.0
0.426 0.433
L
M
4.7
0.4
5.3
0.8
0.185 0.209
0.016 0.031
Source-Drain Diode
Characteristic Values
N
1.5 2.49
0.087 0.102
Symbol
Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
TO-204 AE (IXFM) Outline
I S
I SM
V GS = 0 V
Repetitive;
pulse width limited by T JM
35N30
40N30
35N30
40N30
35
40
140
160
A
A
A
A
V SD
I F = I S , V GS = 0 V,
Pulse test, t ￡ 300 m s, duty cycle d ￡ 2 %
1.5
V
t rr
I F = I S , -di/dt = 100 A/ m s,
V R = 100 V
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
200
350
ns
ns
Dim.
Millimeter
Min. Max.
Inches
Min. Max.
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
Q
R
38.61 39.12
- 22.22
6.40 11.40
1.45 1.60
1.52 3.43
30.15 BSC
10.67 11.17
5.21 5.71
16.64 17.14
11.18 12.19
3.84 4.19
25.16 26.66
1.520 1.540
- 0.875
0.252 0.449
0.057 0.063
0.060 0.135
1.187 BSC
0.420 0.440
0.205 0.225
0.655 0.675
0.440 0.480
0.151 0.165
0.991 1.050
? 2000 IXYS All rights reserved
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025
2-4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFH42N60P3 | MOSFET N-CH 600V 42A TO247 |
| IXFH44N50Q3 | MOSFET N-CH 500V 44A TO-247 |
| IXFH60N20 | MOSFET N-CH 200V 60A TO-247 |
| IXFH66N20Q | MOSFET N-CH 200V 66A TO-247 |
| IXFH6N120P | MOSFET N-CH 1200V 6A TO-247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFH40N30 | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N TO-247 |
| IXFH40N30Q | 功能描述:MOSFET 300V 40A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH40N30Q_11 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs Q-Class |
| IXFH40N30S | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 300V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-264AA |
| IXFH40N50Q | 功能描述:MOSFET 500V 40A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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