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参数资料
| 型号： | IXFH66N20Q |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 66A TO-247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 66A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 40 毫欧 @ 33A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 105nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3700pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 400W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
HiPerFET TM
Power MOSFETs
Q-Class
IXFH 66N20Q
IXFT 66N20Q
V DSS
I D25
R DS(on)
= 200 V
= 66 A
= 40 m ?
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated High dv/dt, Low Q g
Preliminary data sheet
t rr ≤ 200 ns
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
TO-268 (D3) (IXFT) Case Style
V DSS
V DGR
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M ?
200
200
V
V
V GS
V GSM
Continuous
Transient
± 30
± 40
V
V
G
S
(TAB)
I D25
T C = 25 ° C
66
A
I DM
I AR
E AR
E AS
dv/dt
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS ,
264
66
40
1.5
20
A
A
mJ
J
V/ns
TO-247 AD
(TAB)
T J ≤ 150 ° C, R G = 2 ?
P D
T C = 25 ° C
400
W
T J
T JM
T stg
-55 ... +150
150
-55 ... +150
° C
° C
° C
G = Gate
S = Source
D = Drain
TAB = Drain
T L
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
300
° C
Features
M d
Weight
Mounting torque
TO-247
TO-268
1.13/10 Nm/lb.in.
6 g
4 g
IXYS advanced low Q g process
International standard packages
Low gate charge and capacitance
- easier to drive
- faster switching
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
V DSS V GS = 0 V, I D = 250 μ A
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
200 V
Low R DS (on)
Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
Molding epoxies meet UL 94 V-0
V GS(th)
I GSS
I DSS
R DS(on)
V DS = V GS , I D = 4 mA
V GS = ± 30 V DC , V DS = 0
V DS = V DSS T J = 25 ° C
V GS = 0 V T J = 125 ° C
V GS = 10 V, I D = 0.5 I D25
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
2.0
4.0
± 100
25
1
40
V
nA
μ A
mA
m ?
flammability classification
Advantages
Easy to mount
Space savings
High power density
? 2003 IXYS All rights reserved
DS99039(04/03)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFH6N120P | MOSFET N-CH 1200V 6A TO-247 |
| IXFH6N120 | MOSFET N-CH 1200V 6A TO-247 |
| IXFH6N90 | MOSFET N-CH 900V 6A TO-247AD |
| IXFH70N30Q3 | MOSFET N-CH 300V 70A TO-247 |
| IXFH74N20 | MOSFET N-CH 200V 74A TO-247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFH67N10 | 功能描述:MOSFET 67 Amps 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH68N20 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HIPERFET POWER MOSFETs |
| IXFH69N30P | 功能描述:MOSFET 69 Amps 300V 0.049 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH6N100 | 功能描述:MOSFET 1KV 6A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH6N100 | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N TO-247 |
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