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参数资料
| 型号： | IXFH66N20Q |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 66A TO-247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 66A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 40 毫欧 @ 33A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 105nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3700pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 400W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
IXFH 66N20Q
IXFT 66N20Q
Fig. 7. Input Admittance
Fig. 8. Transconductance
165
132
99
90
80
70
60
50
T J = -40 o C
25 o C
125 o C
66
33
0
T J = -40 o C
25 o C
125 o C
40
30
20
10
0
3
3.5
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
0
33
66
99
132
165
V G S - Volts
Fig. 9. Source Current vs. Source-To-Drain
Voltage
198
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
V D S = 100V
165
8
I D = 33A
I G = 10mA
132
6
99
66
33
0
T J = 125 o C
T J = 25 o C
4
2
0
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
0
20
40
60
80
100
120
10000
1000
100
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
f = 1M Hz
C iss
C oss
C rss
1
0.1
0.01
Q G - nanoCoulombs
Fig. 12. Maximum Transient Thermal
Resistance
0
5
10
15 20 25
V DS - Volts
30
35
40
1
10 100
Pulse Width - milliseconds
1000
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715 6,306,728B1 6,259,123B1 6,306,728B1
of the following U.S. patents:
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025 6,404,065B1 6,162,665
6,534,343
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFH6N120P | MOSFET N-CH 1200V 6A TO-247 |
| IXFH6N120 | MOSFET N-CH 1200V 6A TO-247 |
| IXFH6N90 | MOSFET N-CH 900V 6A TO-247AD |
| IXFH70N30Q3 | MOSFET N-CH 300V 70A TO-247 |
| IXFH74N20 | MOSFET N-CH 200V 74A TO-247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFH67N10 | 功能描述:MOSFET 67 Amps 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH68N20 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HIPERFET POWER MOSFETs |
| IXFH69N30P | 功能描述:MOSFET 69 Amps 300V 0.049 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH6N100 | 功能描述:MOSFET 1KV 6A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH6N100 | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N TO-247 |
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